[发明专利]抗蚀剂剥离液组合物

说明书

技术领域

本发明涉及一种在光致抗蚀剂剥离工序中使附着于基板的抗蚀剂容易剥离的抗蚀剂剥离液组合物。

背景技术

光致抗蚀剂(Photoresist)是利用通过光的光化学反应将预先画在光掩模(Photomask)的微细图案能够显影到所需基板上的化学被膜，是与光掩模一起应用于曝光技术的高分子材料，被认为是对元件的集成度直接带来影响并决定最终的分辨率极限的主要因子。根据又名摩尔定律(Moore's law；半导体的集成度每2年增加2倍的理论)，为了将每年增加的电路的集成度放入大小限定的半导体，需要将设计的电路进行更小的图案化(patterning)，因此半导体集成度的增加必然会不断要求新的光致抗蚀剂的开发。

为了制造高分辨率的平板显示器，一般使用利用这种光致抗蚀剂在基板上形成微细的配线的光刻(photolithography)工序，这是利用光致抗蚀剂的热特性、机械特性、化学特性，在基板上涂布光致抗蚀剂后，使其在一定波长的光中曝光(exposure)，进行干式蚀刻或湿式蚀刻的方法。

在利用了光致抗蚀剂的微细图案化技术中，与开发新的光致抗蚀剂一同受到重视的领域是抗蚀剂剥离液。光致抗蚀剂需要在工序结束后利用抗蚀剂剥离液除去，这是因为在蚀刻过程后不必要的光致抗蚀剂层和通过蚀刻和洗涤过程残留在基板上的金属残留物或变质的光致抗蚀剂残留物会导致半导体制造收率下降等而引发问题。

因此，要求对于蚀刻残渣的清除力和对于变质的光致抗蚀剂残留物的优异的剥离能力，具体而言，对于在干式蚀刻工序后发生的蚀刻残渣的清除力、及对于金属配线的腐蚀抑制力等要求相当高水平的剥离特性。特别是，不仅要求对于铝的腐蚀抑制力，而且要求对于铜的腐蚀抑制力，并且为了确保价格竞争力，还要求改善剥离速度、增加基板的处理张数这样的经济性。

与此关联，韩国注册专利第1008373号公开了如下抗蚀剂剥离液组合物：通过包含特定化学式的咪唑烷系化合物，能够提高抗蚀剂剥离能力，增加对于包含钼的光致抗蚀剂下部膜的防蚀力。但是，在使用上述抗蚀剂剥离液组合物时，可能发生对于包含铜和铝的金属膜质的防蚀力下降的问题。

此外，韩国注册专利第1213735号公开了如下抗蚀剂剥离液组合物：通过包含环状胺、剥离促进剂、防腐蚀剂等，从而提高抗蚀剂剥离能力，增加对于金属配线的防蚀力。但是，该抗蚀剂剥离液组合物也可能发生抗蚀剂剥离能力不充分，对于金属膜质的防蚀力不足的问题。

现有技术文献

专利文献

专利文献1：韩国注册专利第1008373号(2011.01.07，株式会社LG化学)

专利文献2：韩国注册专利第1213735号(2012.12.12，株式会社东进世美肯)

发明内容

所要解决的课题

本发明的目的在于提供一种在抗蚀剂剥离工序中抗蚀剂剥离效果优异，能够使包含铜和铝的金属膜质的腐蚀最小化的抗蚀剂剥离液组合物。

解决课题的方法

用于实现上述目的的根据本发明的抗蚀剂剥离液组合物的特征在于，包含极性有机溶剂和下述化学式1的咪唑烷系化合物。

[化学式1]

(上述化学式1中，

R₁和R₂各自独立地为碳原子数1～3的亚烷基。)

发明效果

根据本发明的抗蚀剂剥离液组合物通过包含特定化学式的咪唑烷系化合物，从而具有在抗蚀剂剥离工序中使附着于基板的抗蚀剂容易剥离，能够使对于包含铜和铝的金属膜质的腐蚀最小化的效果。

具体实施方式

本发明中，当某部分“包含”某构成要素时，只要没有特别相反的记载，则这意味着可以进一步包含其他构成要素而不是排除其他构成要素。

以下，详细说明本发明的优选的实施方式。

咪唑烷系化合物

本发明中的抗蚀剂剥离液组合物包含下述化学式1的咪唑烷系化合物：

[化学式1]

(上述化学式1中，

R₁和R₂各自独立地为碳原子数1～3的亚烷基。)