[发明专利]一种半导体器件及其制造方法、电子装置有效
| 申请号： | 201610801089.0 | 申请日： | 2016-09-05 |
| 公开（公告）号： | CN107799470B | 公开（公告）日： | 2020-06-09 |
| 发明（设计）人： | 何凤英 | 申请（专利权）人： | 中芯国际集成电路制造（上海）有限公司;中芯国际集成电路制造（北京）有限公司 |
| 主分类号： | H01L21/8238 | 分类号： | H01L21/8238;H01L27/092 |
| 代理公司： | 北京市磐华律师事务所 11336 | 代理人： | 董巍;高伟 |
| 地址： | 201203 *** | 国省代码： | 上海;31 |
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| 摘要： | |||
| 搜索关键词： | 一种 半导体器件 及其 制造 方法 电子 装置 | ||
1.一种半导体器件的制造方法，其特征在于，包括：
提供具有NFET区和PFET区的半导体衬底，在所述半导体衬底上形成有栅极结构；
在所述半导体衬底上形成掩膜层，覆盖所述栅极结构；
图案化所述掩膜层，以在所述PFET区的栅极结构的外侧形成掩膜侧墙；
在露出的PFET区的栅极结构两侧的半导体衬底中形成嵌入式锗硅层，并在所述嵌入式锗硅层的顶部形成帽层；
在所述半导体衬底上依次形成侧墙材料层和牺牲材料层；
回蚀刻所述牺牲材料层和所述侧墙材料层，直至去除位于所述栅极结构顶部的侧墙材料层；
依次去除所述牺牲材料层和所述掩膜侧墙；
其中，去除所述掩膜侧墙后，还包括以下步骤：在所述栅极结构的侧壁上形成间隙壁；实施离子注入，以在所述间隙壁外侧的半导体衬底中形成源/漏区。
2.根据权利要求1所述的方法，其特征在于，所述掩膜层包括自下而上层叠的缓冲层和应力材料层，所述侧墙材料层包括氧化物层。
3.根据权利要求1所述的方法，其特征在于，采用毯覆式蚀刻工艺实施所述回蚀刻。
4.根据权利要求1所述的方法，其特征在于，采用灰化工艺或湿法剥离工艺实施所述牺牲材料层的去除。
5.根据权利要求1所述的方法，其特征在于，采用磷酸作为腐蚀液的湿法蚀刻工艺去除所述掩膜侧墙。
6.根据权利要求1所述的方法，其特征在于，形成所述掩膜层之前，还包括分别在所述NFET区和所述PFET区形成轻掺杂漏结构的步骤。
7.根据权利要求1所述的方法，其特征在于，形成帽层之后，还包括以下步骤：蚀刻位于所述NFET区的掩膜层，以在所述NFET区的栅极结构的外侧形成掩膜侧墙；在所述NFET区露出的半导体衬底中形成具有拉应力的碳硅层。
8.一种采用权利要求1-7之一所述的方法制造的半导体器件。
9.一种电子装置，其特征在于，所述电子装置包括权利要求8所述的半导体器件。
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H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
