[发明专利]单向导通装置

权利要求书

1.一种单向导通装置，包括；

第一晶体管，具有耦接第一节点的控制端、耦接该单向导通装置的输入电极端的输入端、以及耦接该单向导通装置的输出电极端的输出端；

驱动电路，耦接该第一晶体管，包括：

第一开关电路，耦接该输入电极端以及第二节点；

第二晶体管，具有耦接第三节点的基极、耦接该第二节点的发射极、以及耦接该第三节点的集电极；

第一电阻器，具有通过该第一开关电路耦接该第三节点的第一端、以及耦接接地端的第二端；

第三晶体管，具有耦接该第三节点的基极、耦接该输出电极端的发射极、以及耦接该第一节点的集电极；以及

第二电阻器，具有耦接该第一节点的第一端、以及耦接该接地端的第二端；

其中，该第一开关电路根据该第一电阻器的第一端上的电压与该第二节点上的电压来决定是否阻断该单向导通装置的逆向漏电流路径。

2.如权利要求1所述的单向导通装置，其中，该第一开关电路包括：

第四晶体管，具有耦接第四节点的控制端、耦接该输入电极端的输入端、以及耦接该第二节点的输出端；以及

第三电阻器，具有耦接于该第三节点的第一端、以及耦接该第四节点的第二端；

其中，该第一电阻器的第一端耦接该第四节点。

3.如权利要求2所述的单向导通装置，其中，该驱动电路还包括：

第二开关电路，耦接于所述第一及第二电阻器的第二端与该接地端之间；

其中，该第二开关电路检测该输入电极端的电压，且根据该输入电极端的电压来决定是否阻断该单向导通装置的静态电流路径。

4.如权利要求3所述的单向导通装置，其中，该驱动电路还包括：

第四电阻器，耦接于该输出电极端与该第二电阻器的第二端之间。

5.如权利要求3所述的单向导通装置，其中，该第二开关电路包括：

第四电阻器，耦接于该输入电极端与第五节点之间；

第五电阻器，耦接于该第五节点与该接地端之间；以及

第五晶体管，具有耦接该第五节点的控制端、耦接所述第一及第二电阻器的第二端的输入端、以及耦接该接地端的输出端。

6.如权利要求5所述的单向导通装置，其中，该第五晶体管为N沟道金属氧化物半导体场效晶体管，且该N沟道金属氧化物半导体场效晶体管的栅极、漏极、与源极分别对应该第五晶体管的控制端、输入端、与输出端。

7.如权利要求5所述的单向导通装置，其中，该第五晶体管为NPN型双载子接面晶体管，且该NPN型双载子接面晶体管的基极、集电极、与发射极分别对应该第五晶体管的控制端、输入端、与输出端。

8.如权利要求1所述的单向导通装置，其中，该第一晶体管为P沟道金属氧化物半导体场效晶体管，且该第二晶体管与该第三晶体管为PNP型双载子接面晶体管。

9.如权利要求1所述的单向导通装置，其中，该第一晶体管为N沟道金属氧化物半导体场效晶体管，且该第二晶体管与该第三晶体管为NPN型双载子接面晶体管。

10.如权利要求1所述的单向导通装置，还包括：

第三电阻器，耦接于该输入电极端与该第一开关电路之间。