[发明专利]集成电路及其制造方法

权利要求书

1.一种集成电路，其特征在于，包括：

多个位线，设置于一位线导体层中，以及多个字线，设置于一字线导体层中；以及

一中间层，位于该位线导体层及该字线导体层之间；

该中间层包括一层间绝缘结构，以及多个存储器柱穿过该层间绝缘结构，该层间绝缘结构位于一基板上方，且该层间绝缘结构环绕这些存储器柱，并分隔相邻的多个存储器柱；这些存储器柱中的各该存储器柱具有一第一端接触这些位线中的一位线，以及一第二端接触这些字线中的一字线，各该存储器柱包括一存取单元以及一存储单元，排列于该层间绝缘结构之中；且

在该存储单元的阶层中的该层间绝缘结构相比于在该存取单元的阶层中的该层间绝缘结构具有较高的热电阻。

2.根据权利要求1所述的集成电路，其中该层间绝缘结构于该存储单元的阶层中具有多个空孔。

3.根据权利要求1所述的集成电路，其中该层间绝缘结构包括位于该存储单元的阶层中的一第一绝缘层，以及位于该存取单元的阶层中的一第二绝缘层，该第一绝缘层相比于该第二绝缘层具有较高的热电阻。

4.根据权利要求1所述的集成电路，其中该存储单元包括一相变化材料，且该存取单元包括一双向定限开关。

5.根据权利要求1所述的集成电路，其特征在于，还包括多个第二字线，设置于一第二字线导体层中；以及

一第二中间层，设置于该位线导体层及该第二字线导体层之间；

该第二中间层包括一第二层间绝缘结构，以及多个第二存储器柱穿过该第二层间绝缘结构，这些第二存储器柱中的各该第二存储器柱具有一第一端接触这些位线中的一位线，以及一第二端接触这些第二字线中的一第二字线，各该第二存储器柱包括一存取单元及一存储单元排列于该第二层间绝缘结构之中；且

在该第二存储器柱中的该存储单元的阶层中的该第二层间绝缘结构相比于在该第二存储器柱中的该存取单元的阶层中的该第二层间绝缘结构具有较高的热电阻。

6.一种集成电路，其特征在于，包括：

多个位线导体层，以及与这些位线导体层交错的多个字线导体层，这些位线导体层中的各该位线导体层具有多个位线设置于其中，且这些字线导体层中的各该字线导体层具有多个字线设置于其中；以及

多个中间层；各该中间层设置于这些位线导体层中的一个以及这些字线导体层中的一个之间；

这些中间层中的各该中间层包括一层间绝缘结构，以及多个存储器柱的一阵列穿过该层间绝缘结构，该层间绝缘结构位于一基板上方，且该层间绝缘结构环绕这些存储器柱，并分隔相邻的多个存储器柱；该阵列中的各该存储器柱具有一第一端接触设置于一相邻该位线导体层中的这些位线中的一位线，以及一第二端接触设置于一相邻该字线导体层中的这些字线中的一字线，各该存储器柱包括一双向定限开关及一相变化存储单元设置于该中间层中的相对应阶层中；且

在该相变化存储单元的阶层中的该层间绝缘结构相比于在该双向定限开关的阶层中的该层间绝缘结构具有较高的热电阻。

7.根据权利要求6所述的集成电路，其中该些中间层中的该层间绝缘结构各包括一介电材料，该介电材料于该存储单元的阶层中具有多个空孔。

8.一种制造集成电路的方法，其特征在于，包括：

形成设置于一位线导体层中的多个位线，以及形成设置于一字线导体层中的多个字线；以及

于该位线导体层及该字线导体层之间形成一中间层；

其中形成该中间层包括形成一层间绝缘结构及形成穿过该层间绝缘结构的多个存储器柱，该层间绝缘结构位于一基板上方，且该层间绝缘结构环绕这些存储器柱，并分隔相邻的多个存储器柱；这些存储器柱中的各该存储器柱具有一第一端接触这些位线中的一位线，以及一第二端接触这些字线中的一字线，各该存储器柱包括一存取单元及一存储单元排列于该层间绝缘结构之中，在该存储单元的阶层中的该层间绝缘结构相比于在该存取单元的阶层中的该层间绝缘结构具有较高的热电阻。

9.根据权利要求8所述的方法，其中形成该层间绝缘结构包括于该存储单元的阶层中形成多个空孔。

10.根据权利要求8所述的方法，其中形成该层间绝缘结构包括形成一第一绝缘层以及形成一第二绝缘层，该第一绝缘层相比于该第二绝缘层具有较高的热电阻。