[发明专利]一种含有末端小失配子电池的多结太阳电池及其制备方法

权利要求书

1.一种含有末端小失配子电池的多结太阳电池，其特征在于，该多结电池包含设置在多结电池末端的底电池，该底电池与衬底存在晶格失配；该底电池与衬底的晶格失配度小于1%。

2.如权利要求1所述的含有末端小失配子电池的多结太阳电池，其特征在于，该多结电池还包含依次设置在衬底上的顶电池和中电池。

3.如权利要求2所述的含有末端小失配子电池的多结太阳电池，其特征在于，该多结电池由自下向上依次设置的GaAs衬底、AlGaInP顶电池、AlGaAs中电池和InGaAs底电池构成。

4.如权利要求3所述的含有末端小失配子电池的多结太阳电池，其特征在于，所述的InGaAs底电池中，In的含量不超过底电池质量的14%。

5.如权利要求3所述的含有末端小失配子电池的多结太阳电池，其特征在于，所述的AlGaInP顶电池禁带宽度为1.95~2.3eV，AlGaAs中电池禁带宽度为1.5~1.9eV，底电池InGaAs的禁带宽度为1.22~1.42eV。

6.如权利要求2所述的含有末端小失配子电池的多结太阳电池，其特征在于，该多结电池包含由下向上依次生长的衬底（1）、缓冲层（2）、顶电池（3）、第一隧穿结（4）、中电池（5）、第二隧穿结（6）及底电池（7），该底电池（7）掺杂小失配材料。

7.一种根据权利要求1所述的含有末端小失配子电池的多结太阳电池的制备方法，其特征在于，该多结太阳电池采用倒置生长方式在衬底上制备，并在最末端生长小失配电池。

8.如权利要求7所述的含有末端小失配子电池的多结太阳电池的制备方法，其特征在于，所述的生长小失配电池是指向末端电池中掺杂小失配材料。

9.如权利要求7所述的含有末端小失配子电池的多结太阳电池的制备方法，其特征在于，该方法为：在衬底上先后依次生长AlGaInP顶电池、AlGaAs中电池和InGaAs底电池，该底电池与衬底存在晶格失配。