[发明专利]P‑N双模式传导减小表面电场（RESURF）的LDMOS在审
| 申请号： | 201610802683.1 | 申请日： | 2016-09-05 |
| 公开（公告）号： | CN106549062A | 公开（公告）日： | 2017-03-29 |
| 发明（设计）人： | Y·张;S·P·彭德哈卡;H·L·爱德华兹 | 申请（专利权）人： | 德克萨斯仪器股份有限公司 |
| 主分类号： | H01L29/78 | 分类号： | H01L29/78;H01L29/06 |
| 代理公司： | 北京纪凯知识产权代理有限公司11245 | 代理人： | 赵志刚,赵蓉民 |
| 地址： | 美国德*** | 国省代码： | 暂无信息 |
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| 摘要： | |||
| 搜索关键词： | 双模 传导 减小 表面 电场 resurf ldmos | ||
【说明书】：
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