[发明专利]应用于超级电容器的聚硒吩衍生物薄膜电极及其制备方法

权利要求书

1.一种应用于超级电容器的聚硒吩衍生物薄膜电极，其特征在于，由基质材料和位于所述基质材料上方的聚硒吩衍生物薄膜组成；

所述基质材料为铂、金、不锈钢和ITO导电玻璃中任意一种；

所述聚硒吩衍生物薄膜为单体2a-c、单体4a-f中任意一种合成，所述单体2a-c、单体4a-f的结构式分别如下：

所述单体2a-c中的X为硫，R为甲基；所述单体4a-f中的R分别为苯甲基和二苯并甲基；

所述聚硒吩衍生物薄膜电极的制备方法包括以下步骤：

步骤1：用中性有机溶剂配置摩尔浓度为0.001-0.1mol/L的单体溶液，再向单体溶液中加入支持电解质，配成支持电解质摩尔溶度为0.1-1mol/L的电化学溶液；

步骤2：将基质材料和步骤1得到的电化学溶液置入包括工作电极、对电极和参比电极的电化学反应装置中，向溶液中通入氮气10-30分钟，通过恒电位法或连续循环伏安法在基质材料上得到聚硒吩衍生物层。

2.根据权利要求1所述的应用于超级电容器的聚硒吩衍生物薄膜电极，其特征在于，所述苯甲基和二苯并甲基的结构式如下：

3.权利要求1或2所述的应用于超级电容器的聚硒吩衍生物薄膜电极的制备方法，其特征在于，包括以下步骤：

步骤1：用中性有机溶剂配置摩尔浓度为0.001-0.1mol/L的单体溶液，再向单体溶液中加入支持电解质，配成支持电解质摩尔溶度为0.1-1mol/L的电化学溶液；

步骤2：将基质材料和步骤1得到的电化学溶液置入包括工作电极、对电极和参比电极的电化学反应装置中，向溶液中通入氮气10-30分钟，通过恒电位法或连续循环伏安法在基质材料上得到聚硒吩衍生物层。

4.根据权利要求3所述的应用于超级电容器的聚硒吩衍生物薄膜电极的制备方法，其特征在于，所述步骤1中中性有机溶剂为乙腈、二氯甲烷、三氯甲烷和碳酸丙烯酯中的任意一种；所述支持电解质为四丁基四氟硼酸铵、四丁基六氟磷酸铵、四丁基高氯酸铵、四丁基氢氧化铵和高氯酸锂中的任意一种。

5.根据权利要求3所述的应用于超级电容器的聚硒吩衍生物薄膜电极的制备方法，其特征在于，所述步骤2中工作电极为基质材料中任意一种；所述对电极为铂材料和不锈钢材料中任意一种；所述参比电极为Ag/AgCl。

6.根据权利要求5所述的应用于超级电容器的聚硒吩衍生物薄膜电极的制备方法，其特征在于，所述对电极与电解质溶液的接触面积大于工作电极与电解质溶液的接触面积。

7.根据权利要求5所述的应用于超级电容器的聚硒吩衍生物薄膜电极的制备方法，其特征在于，所述参比电极由Ag丝在6mol/L盐酸溶液中经开路电位1.5V、100s电解制备而成。