[发明专利]半导体制造装置及其研磨模块

说明书

一种半导体制造装置，用以检测并研磨一晶圆的一背表面，该装置包括一研磨模块以及一检测系统。前述研磨模块用以研磨晶圆的背表面，检测系统用以检测晶圆的背表面。其中，前述检测系统固定于研磨模块上并传递一信号至研磨模块，研磨模块接收前述信号并根据信号研磨背表面。

技术领域

本发明实施例涉及一种半导体制造装置，特别涉及一种检测与研磨晶圆的背表面的半导体制造装置。

背景技术

随着技术的日益进步下，半导体集成电路(semiconductor integrated circuit)产业经历了指数级的成长，使得集成电路产业有更小与更复杂的电路。在其演进的过程中，随着几何尺寸(制造过程中可被生产的最小元件尺寸)有所减少，功能密度(每一个晶圆的单位面积上的互连元件的数量)已相大幅地增加。通过尺寸下降，普遍提高了生产效率并降低相关成本，但也增加了集成电路处理和制造的复杂性。为了要实现相关技术的进步，在集成电路处理和制造上的发展是被需要的。例如，应用于半导体晶圆的研磨制程。然而，目前研磨系统和相关方法并非具效率，且可能产生额外的问题，例如污染或损害晶圆。

发明内容

本公开的一实施例提供一种半导体制造装置，用以检测并研磨一晶圆的一背表面，该装置包括一研磨模块以及一检测系统。前述研磨模块用以研磨晶圆的背表面，检测系统用以检测晶圆的背表面。其中，前述检测系统固定于研磨模块上并传递一信号至研磨模块，且研磨模块接收信号并根据信号研磨背表面。

本公开的一实施例提供一种研磨模块，用以研磨一晶圆的一背表面。前述研磨模块包括一外壳、一研磨本体、一环状的凹槽、一流体通道以及一排出通道。前述研磨本体设置于外壳内并具有一研磨表面，用以研磨晶圆的背表面。凹槽形成于外壳与研磨本体之间，并环绕研磨本体。流体通道形成于研磨本体内。排出通道形成于外壳与研磨本体之间，并连接凹槽。当研磨本体研磨背表面时，一清洗液经由流体通道输送至背表面或研磨表面，且清洗液依序经由凹槽与排出通道排出研磨模块。

本公开的一实施例提供一种半导体制造装置，用以检测并研磨一晶圆的一背表面，前述半导体制造装置包括一研磨模块以及一检测系统。前述研磨模块用以研磨晶圆的背表面，检测系统则用以检测晶圆的背表面。其中，前述检测系统固定于研磨模块上并传递一信号至研磨模块，且研磨模块接收信号并根据信号研磨背表面。前述研磨模块包含一外壳、一研磨本体、一环状的凹槽、一流体通道以及一排出通道。前述研磨本体设置于外壳内并具有一研磨表面，用以研磨晶圆的背表面。凹槽形成于外壳与研磨本体之间，并环绕研磨本体。流体通道形成于研磨本体内。排出通道形成于外壳与研磨本体之间，并连接凹槽。当研磨本体研磨背表面时，一清洗液经由流体通道输送至背表面或研磨表面，且清洗液依序经由凹槽与排出通道排出研磨模块。

附图说明

根据以下的详细说明并配合附图做完整公开。应注意的是，根据本产业的一般作业，附图并未必按照比例绘制。事实上，可能任意地放大或缩小元件的尺寸，以做清楚的说明。

图1是表示根据一实施例的一半导体制造装置用以检测与研磨一基座上的一晶圆的示意图；

图2是表示图1中的检测系统检测晶圆的示意图；

图3是表示根据另一实施例的检测系统检测一晶圆的示意图；

图4是表示根据另一实施例的检测系统检测一晶圆的示意图

图5是表示晶圆沿其径向分成多个区域的示意图；

图6是表示根据另一实施例的一研磨模块用以研磨一基座上的一晶圆的示意图；

图7A是表示图6中的研磨模块的示意图；

图7B是表示沿着图7A中沿线段A-A的剖视图；以及

图7C是表示另一实施例的研磨模块的局部示意图。

附图标记说明：