[发明专利]薄膜晶体管阵列基板及其制造方法

权利要求书

1.一种薄膜晶体管阵列基板，其特征在于，所述薄膜晶体管阵列基板包括：

基底，包括显示区域和非显示区域，非显示区域围绕显示区域并且包括肖特基二极管，

其中，所述肖特基二极管包括：

阳极层和阴极层，形成基底上；

栅极绝缘层，形成在基底上并且覆盖阳极层和阴极层；

第一栅电极，形成在栅极绝缘层上并且与阳极层和阴极层叠置；

层间绝缘层，形成在栅极绝缘层上并且覆盖第一栅电极，并且包括用于暴露阳极层和阴极层的接触孔；

第一外接电压和第二外接电压，形成在层间绝缘层上，并且分别通过接触孔连接到阳极层和阴极层；

所述显示区域包括薄膜晶体管，

其中，所述薄膜晶体管包括：

有源层，形成在基底上；

第二栅电极，与有源层绝缘；

源电极和漏电极，电连接到有源层；

阳极层和阴极层与所述有源层设置在同一层上。

2.根据权利要求1所述的薄膜晶体管阵列基板，其特征在于，第一栅电极与第二栅电极设置在同一层上。

3.根据权利要求1所述的薄膜晶体管阵列基板，其特征在于，第一外接电压和第二外接电压与源电极和漏电极设置在同一层上。

4.根据权利要求1所述的薄膜晶体管阵列基板，其特征在于，有源层包括源区、漏区和位于源区和漏区之间的沟道区，

其中，阳极层包括与源区和漏区相同的材料，阴极层包括与沟道区相同的材料。

5.根据权利要求1所述的薄膜晶体管阵列基板，其特征在于，所述薄膜晶体管阵列基板还包括焊盘，所述焊盘位于非显示区域中。

6.一种制造薄膜晶体管阵列基板的方法，其特征在于，所述方法包括：

在基底的显示区域中形成薄膜晶体管的有源层，并且在基底的非显示区域中形成肖特基二极管的阳极层和阴极层；

在基底上形成栅极绝缘层以覆盖薄膜晶体管的有源层和肖特基二极管的阳极层和阴极层；

在栅极绝缘层上形成薄膜晶体管的第二栅电极和肖特基二极管的第一栅电极，第二栅电极与有源层叠置，第一栅电极与阳极层和阴极层叠置；

在栅极绝缘层上形成层间绝缘层以覆盖第一栅电极和第二栅电极；

在层间绝缘层和栅极绝缘层中形成用于暴露薄膜晶体管的有源层以及肖特基二极管的阳极层和阴极层的接触孔；

在层间绝缘层上形成薄膜晶体管的源电极和漏电极以及肖特基二极管的第一外接电压和第二外接电压，源电极、漏电极、第一外接电压和第二外接电压分别通过接触孔连接到有源层、阳极层和阴极层。

7.根据权利要求6所述的方法，其特征在于，有源层包括源区、漏区和位于源区和漏区之间的沟道区，

其中，阳极层包括与源区和漏区相同的材料，阴极层包括与沟道区相同的材料。

8.根据权利要求6所述的方法，其特征在于，形成第一栅电极和第二栅电极的步骤包括：使用同一工艺同时形成第一栅电极和第二栅电极。