[发明专利]二氧化硅颗粒及其生产方法有效

专利信息
申请号: 201610808236.7 申请日: 2016-09-07
公开(公告)号: CN107149930B 公开(公告)日: 2019-12-10
发明(设计)人: 吉川英昭;广濑英一;奥野广良;岩永猛;鹿岛保伸;山田涉;竹内荣;杉立淳 申请(专利权)人: 富士施乐株式会社
主分类号: B01J21/08 分类号: B01J21/08;B01J35/02
代理公司: 11127 北京三友知识产权代理有限公司 代理人: 庞东成;龚泽亮
地址: 日本*** 国省代码: 日本;JP
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摘要:
搜索关键词: 二氧化硅 颗粒 及其 生产 方法
【权利要求书】:

1.一种二氧化硅颗粒,其包含:

二氧化硅颗粒本体;和

通过钛化合物的反应形成在所述二氧化硅颗粒本体的表面上的二氧化钛涂层,所述钛化合物具有烃基经氧原子与钛原子结合的结构,

其中,在紫外可见吸收光谱中,当所述二氧化硅颗粒在350nm波长处的吸光度被假定为1时,所述二氧化硅颗粒具有在450nm波长处为0.02以上的吸光度和在750nm波长处为0.02以上的吸光度,并且

其中,反应的所述钛化合物中的烃基在一定程度上分离并带到所述二氧化硅颗粒本体的表面上,一部分分离的烃基碳化,并且该烃基作为碳引入所述二氧化硅颗粒本体的表面和所述二氧化钛涂层。

2.如权利要求1所述的二氧化硅颗粒,

其中,所述钛化合物是由通式M1Y14表示的化合物,

其中,M1表示钛原子;Y1表示卤原子、羟基或烷氧基;并且4个Y1可表示相同基团或不同基团,其中4个Y1中的至少一个表示烷氧基。

3.如权利要求1所述的二氧化硅颗粒,其中,以二氧化钛计,相对于所述二氧化硅颗粒本体,所述二氧化钛涂层的含量为10质量%以上且200质量%以下。

4.如权利要求1所述的二氧化硅颗粒,其中,用具有烃基的硅烷化合物对由所述二氧化钛涂层覆盖的所述二氧化硅颗粒本体进行表面处理。

5.如权利要求4所述的二氧化硅颗粒,

其中,所述硅烷化合物是由通式R1nSiR2m表示的化合物,

其中,R1表示具有1~20个碳原子的饱和或不饱和的脂肪族烃基、或芳族烃基,R2表示卤原子或烷氧基,n表示1~3的整数,并且m表示1~3的整数,其中n+m=4;当n表示2或3的整数时,多个R1可表示相同基团或不同基团;而当m表示2或3的整数时,多个R2可表示相同基团或不同基团。

6.如权利要求5所述的二氧化硅颗粒,其中,R1表示直链饱和脂肪族烃基。

7.如权利要求5所述的二氧化硅颗粒,其中,所述通式R1nSiR2m中的R1表示具有6~27个碳原子的芳族烃基。

8.如权利要求7所述的二氧化硅颗粒,其中,所述芳族烃基是选自由苯基、联苯基、三联苯基、萘基和蒽基组成的组中的至少一种。

9.如权利要求5所述的二氧化硅颗粒,其中,所述卤原子是选自由氯、溴和碘组成的组中的至少一种。

10.如权利要求5所述的二氧化硅颗粒,其中,所述烷氧基具有1~10个碳原子。

11.如权利要求1所述的二氧化硅颗粒,其中,所述二氧化硅颗粒具有10nm以上且1μm以下的体积平均粒径。

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