[发明专利]镁及镁合金表面具有插层结构的Mg(OH)2/Mg-Sn类水滑石复合膜及其制备方法

权利要求书

1.一种镁及镁合金表面具有插层结构的Mg(OH)₂/Mg-Sn类水滑石复合膜的制备方法，其特征在于，包括如下步骤：

S1、镁及镁合金预处理：对镁及镁合金先后进行机械打磨、酒精超声清洗、超声去离子水清洗；

S2、对镁及镁合金样品进行前处理：首先配制0.01～0.04mol/L的Sn⁴⁺锡离子盐溶液，并调节pH至3.8～5.0，制得前处理溶液，将经过预处理的镁及镁合金置于持续通入CO₂的前处理溶液中0.5～3h，前处理温度为20～50℃，获得覆有前驱体膜的镁及镁合金；

S3、对覆有前驱体膜的镁及镁合金进行后处理：将步骤S2制得的样品置于50～80℃的含有CO₃^2-、pH为8.5～13的后处理溶液中浸泡12～48h，从而镁及镁合金表面具有插层结构的Mg(OH)₂/Mg-Sn类水滑石复合膜；

S4、后续清洗：采用去离子水超声清洗步骤S3处理的样品，再将样品冷风吹干或自然风干。

2.根据权利要求1所述的镁及镁合金表面具有插层结构的Mg(OH)₂/Mg-Sn类水滑石复合膜的制备方法，其特征在于：步骤S1中，所述镁及镁合金为生物医用不含Al的纯镁或镁合金，包括Mg-Zn系、Mg-RE系、Mg-Ca系、Mg-Sn系、Mg-Mn系合金及纯镁。

3.根据权利要求1所述的镁及镁合金表面具有插层结构的Mg(OH)₂/Mg-Sn类水滑石复合膜的制备方法，其特征在于：步骤S2中，所述锡离子盐溶液为SnCl₄或Sn(SO₄)₂。

4.根据权利要求1所述的镁及镁合金表面具有插层结构的Mg(OH)₂/Mg-Sn类水滑石复合膜的制备方法，其特征在于：步骤S2中，所述锡离子盐溶液通过碱性溶液——0～2mol/L的NaOH/KOH与0.5～1mol/L的Na₂CO₃/NaHCO₃/K₂CO₃/KHCO₃的混合溶液，来调节前处理溶液的pH值。

5.根据权利要求1所述的镁及镁合金表面具有插层结构的Mg(OH)₂/Mg-Sn类水滑石复合膜的制备方法，其特征在于：步骤S3中，所述的后处理溶液为0.5～1mol/L的Na₂CO₃/NaHCO₃/K₂CO₃/KHCO₃溶液或者饱和碳酸溶液，并用0～2mol/L的NaOH/KOH溶液调节pH为8.5～13。

6.根据权利要求1所述的镁及镁合金表面具有插层结构的Mg(OH)₂/Mg-Sn类水滑石复合膜的制备方法，其特征在于：步骤S2及S3中，所述样品的表面积与处理液体积之比均在1:20～1:60的范围内。

7.一种根据权利要求1至6任一项所述制备方法得到的水滑石复合膜，其特征在于：所述Mg-Sn类水滑石的化学式为Mg₆Sn₂(OH)₁₆(CO₃)₂·yH₂O，其中Sn为+4价，y为1、2或3。