[发明专利]自刷新控制装置以及易失性半导体存储器装置有效
| 申请号： | 201610809589.9 | 申请日： | 2016-09-08 |
| 公开（公告）号： | CN107146637B | 公开（公告）日： | 2021-01-12 |
| 发明（设计）人： | 吉冈重实 | 申请（专利权）人： | 力晶积成电子制造股份有限公司 |
| 主分类号： | G11C11/406 | 分类号： | G11C11/406;G11C29/44 |
| 代理公司： | 北京市柳沈律师事务所 11105 | 代理人： | 王珊珊 |
| 地址： | 中国台湾新竹*** | 国省代码： | 台湾;71 |
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| 摘要： | |||
| 搜索关键词： | 刷新 控制 装置 以及 易失性 半导体 存储器 | ||
【权利要求书】：
1.一种自刷新控制装置，用于具备自刷新控制电路的易失性半导体存储器装置，所述自刷新控制电路用于基于来自自刷新计时器的第1控制信号来控制所述易失性半导体存储器装置的自刷新，所述自刷新控制装置的特征在于包括：
逻辑电路，在测试模式下，使外部自刷新请求信号输入至所述自刷新控制电路，其中，在晶圆测试的修整之前进行所述测试模式，
指令控制及测试模式设定电路，基于规定的外部信号来产生对所述自刷新计时器进行控制的第2控制信号并输出至所述自刷新计时器，以在所述测试模式下控制所述自刷新计时器的动作。
2.如权利要求1所述的自刷新控制装置，其中
所述逻辑电路在所述测试模式下，取代所述第1控制信号而使所述外部自刷新请求信号输入至所述自刷新控制电路。
3.如权利要求2所述的自刷新控制装置，其中
所述逻辑电路取代所述第1控制信号而使所述外部自刷新请求信号输入至所述自刷新控制电路，藉此来使所述自刷新计时器的动作无效。
4.如权利要求1至3项中任一所述的自刷新控制装置，其中
所述自刷新控制电路周期性地执行所述自刷新。
5.一种易失性半导体存储器装置，其特征在于包括如权利要求1至4项中任一所述的自刷新控制装置。
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