[发明专利]半导体装置

说明书

关联申请的引用

本申请以2016年3月7日在先申请的日本专利申请2016－043303号的权利的利益为基础，并且主张其利益，在此通过引用包含其全部的内容。

技术领域

这里说明的实施方式总体来说涉及半导体装置。

背景技术

在包含具有开关功能的半导体芯片的半导体装置中，在开关时等产生噪声。此时，若形成于半导体装置内的谐振环的谐振频率与噪声的频率匹配，则噪声被放大。若噪声被放大，则即使半导体装置为断开状态，也成为导通状态，有半导体装置不再正常动作等的不良情况发生的可能性。

发明内容

实施方式提供一种能够减少半导体装置所包含的谐振环的谐振频率与噪声的频率产生匹配的可能性的半导体装置。

根据一个实施方式，具有基板、第1导电层、第1半导体芯片、第2半导体芯片、第2导电层、以及第3导电层。

上述第1导电层设置在上述基板上。上述第1导电层具有第1导电部和第2导电部。上述第2导电部在第1方向上与上述第1导电部分离。

上述第1半导体芯片设置在上述第1导电部上。上述第1半导体芯片具有第1电极、第2电极、以及第3电极。上述第1电极与上述第1导电部连接。

上述第2半导体芯片设置在上述第2导电部上。上述第2半导体芯片具有第4电极和第5电极。上述第4电极与上述第2导电部连接。

上述第2导电层在上述基板上与上述第1导电层分离地设置。上述第2导电层在上述第1方向上位于上述第1导电部与上述第2导电部之间。上述第2导电层具有第1连接部与第2连接部。上述第1连接部与上述第2电极连接。上述第2连接部与上述第5电极连接。上述第2导电层在上述第1连接部与上述第2连接部之间具有间隙。

上述第3导电层在上述基板上与上述第1导电层以及上述第2导电层分离地设置。上述第3导电层与上述第3电极连接。

根据上述构成的半导体装置，能够提供一种可减少半导体装置所包含的谐振环的谐振频率与噪声的频率产生匹配的可能性的半导体装置。

附图说明

图1是第1实施方式的半导体装置的立体图。

图2是第1实施方式的半导体装置的立体图。

图3是表示第1实施方式的半导体装置的一部分的放大俯视图。

图4是图3的各部分的剖面图。

图5是表示第1实施方式的半导体装置的一部分的放大俯视图。

图6是表示第2实施方式的半导体装置的一部分的放大俯视图。

图7是表示第2实施方式的半导体装置的一部分的放大俯视图。

图8是表示第3实施方式的半导体装置的一部分的放大俯视图。

图9是表示第4实施方式的半导体装置的一部分的放大俯视图。

图10是表示第4实施方式的变形例的半导体装置的一部分的放大俯视图。

具体实施方式

以下，一边参照附图一边说明本发明的各实施方式。

此外，附图是示意性或者概略性的，各部分的厚度与宽度的关系、部分之间的大小的比例等并非限于与现实相同。另外，即使在表示相同的部分的情况下，也有通过附图而将相互的尺寸、比例表示为不同的情况。

另外，在本申请说明书与各图中，对与已说明过的要素相同的要素标注相同的附图标记，并适当地省略详细的说明。

在各实施方式的说明中，使用XYZ正交坐标系。将与基板1以及基板2的上表面平行的方向且是相互正交的两个方向设为X方向(第2方向)以及Y方向(第1方向)，将与该X方向以及Y方向这两方正交的方向设为Z方向。

(第1实施方式)

一边参照图1～图4，一边说明第1实施方式的半导体装置的一个例子。图1以及图2是第1实施方式的半导体装置100的立体图。

图3是表示第1实施方式的半导体装置100的一部分的放大俯视图。

图4(a)是图3的A－A’剖面图，图4(b)是图3的B－B’剖面图，图4(c)是图3的C－C’剖面图。

此外，在图2中，省略了密封部5、发射极端子E、集电极端子C、以及栅极端子G。

如图1～图4所示，半导体装置100具有基板1、基板2、密封部5、第1导电层11、第2导电层12、第3导电层13、半导体芯片21(第1半导体芯片)、半导体芯片22(第2半导体芯片)、半导体芯片23(第3半导体芯片)、半导体芯片24、半导体芯片25(第4半导体芯片)、半导体芯片26、发射极端子E、集电极端子C、以及栅极端子G。