[发明专利]一种ECT/MWT双模态成像传感器

权利要求书

1.一种ECT/MWT双模态成像传感器，其特征在于，包括：微波传感组件(20)和电容传感组件(30)；其中，

所述微波传感组件(20)和所述电容传感组件(30)设置在被测管道外壁，所述微波传感组件(20)和所述电容传感组件(30)同时工作，进行ECT/MWT加权融合成像，

所述微波传感组件(20)和所述电容传感组件(30)为阵列式传感器组件，其中所述微波传感组件(20)包含8-20个微波天线，所述电容传感组件(30)包括8-20个电容电极，所述电容电极沿被测管道轴线的长度大于5cm，

所述微波传感组件(20)激励信号频率介于300MHz-300GHz，所述电容传感组件(30)激励信号频率介于1kHz-500kHz，

所述微波传感组件(20)和所述电容传感组件(30)分别设置在被测管道的不同轴线位置处的截面上，二者之间相隔大于5cm的预定距离，所述电容电极的宽度之和大于被测管道的垂直于轴线的截面轮廓的周长的70％；或者，

所述微波传感组件(20)和所述电容传感组件(30)设置在被测管道的同一轴线位置处的截面上，所述电容电极与所述微波天线之间间隔大于2mm的预定距离。

2.如权利要求1所述的ECT/MWT双模态成像传感器，其特征在于，

所述ECT/MWT双模态成像传感器为分离式传感器，所述微波传感组件(20)和电容传感组件(30)沿所述被测管道轴向并排分布。

3.如权利要求1所述的ECT/MWT双模态成像传感器，其特征在于，

所述ECT/MWT双模态成像传感器为整体式传感器，微波传感组件(20)和电容传感组件(30)位于所述被测管道同一轴向位置，构成一整体式传感组件(40)。

4.如权利要求2所述的ECT/MWT双模态成像传感器，其特征在于，

所述微波传感组件(20)包括：多个微波天线(21)和第一金属屏蔽壳(22)；其中，所述微波天线(21)之间间隔预定距离、均匀紧贴在被测管道外壁，所述第一金属屏蔽壳(22)覆盖所述微波天线(21)和被测管道外壁。

5.如权利要求2所述的ECT/MWT双模态成像传感器，其特征在于，

所述电容传感组件(30)包括：多个电容电极(31)和第二金属屏蔽壳(32)，其中，所述电容电极(31)之间间隔预定距离、均匀紧贴在被测管道外壁，所述第二金属屏蔽壳(32)覆盖所述电容电极和被测管道外壁并且接地。

6.如权利要求3所述的ECT/MWT双模态成像传感器，其特征在于，

所述整体式传感组件(40)包括多个微波天线(21)、多个电容电极(31)和第三金属屏蔽壳(41)；其中，

所述微波天线(21)与电容电极(31)相互交叉排列并紧贴在被测管道外壁，所述第三金属屏蔽壳(41)覆盖所述微波天线(21)、电容电极(31)和被测管道外壁并且接地。

7.如权利要求6所述的ECT/MWT双模态成像传感器，其特征在于，

所述被测管道为方形管道或长方形管道，在被测管道的每个面，每一电容电极位于相邻两个微波天线之间。

8.如权利要求6所述的ECT/MWT双模态成像传感器，其特征在于，

所述被测管道为方形管道或长方形管道，在被测管道的每个面，每一微波天线位于相邻两个电容电极之间。

9.如权利要求5所述的ECT/MWT双模态成像传感器，其特征在于，所述电容电极(31)为铜片，所述第二金属屏蔽壳(32)为柔性长方形铜片。

10.如权利要求6所述的ECT/MWT双模态成像传感器，其特征在于，所述第三金属屏蔽壳(41)为柔性长方形铜片。