[发明专利]半导体装置及其制造方法

说明书

技术领域

本发明关于一种半导体装置及其制造方法。

背景技术

各种半导体封装，例如囊封在模制化合物中的半导体封装，生产起来不必要地昂贵并且在囊封过程期间会遇到制造缺陷。所属领域的技术人员通过参看图式比较常规方法与本公开其余部分中阐述的本发明的方法和系统的一些态样，将容易明白常规囊封半导体封装及其制造方法的局限性和缺点。

发明内容

本公开的各种态样提供囊封半导体封装及其生产方法。作为非限制性实例，可以通过部分切块晶片、模制部分切块的晶片和完全切块模制的并且部分切块的晶片，借此生产半导体封装。

更具体地说，在一个实施例中，一种制造半导体装置的方法，所述方法包括：将晶片固定到载体，所述晶片包括多个半导体裸片；将所述固定的晶片部分地切块；囊封所述部分切块的晶片；以及将所述囊封的部分切块的晶片切块。所述将晶片固定到载体包括将所述晶片附接到热释放胶带。所述将所述固定的晶片部分地切块包括部分地蚀刻所述固定的晶片。所述部分地蚀刻所述固定的晶片包括：沿着第一单分线的第一部分完全蚀刻通过所述固定的晶片；以及阻止沿着所述第一单分线的第二部分蚀刻所述固定的晶片。所述将所述固定的晶片部分地切块包括留下从所述多个半导体裸片中的第一裸片延伸到所述多个半导体裸片中的第二裸片的晶片材料的至少一个突片。所述晶片材料的至少一个突片从所述第一裸片的侧面的中间延伸到所述第二裸片的侧面的中间。所述囊封所述部分切块的晶片包括在模制化合物中囊封所述部分切块的晶片。所述将所述囊封晶片切块包括切穿晶片材料和囊封物。所述将所述囊封的部分切块的晶片切块包括形成切割线，所述切割线比对所述固定晶片的所述部分切块期间形成的蚀刻线窄。在所述将所述囊封的部分切块的晶片切块之前从所述载体释放所述囊封的部分切块的晶片。

在另一实施例中，一种制造半导体装置的方法，所述方法包括：将晶片固定到载体，所述晶片包括多个半导体裸片；至少部分地通过沿着单分线的第一部分完全蚀刻通过所述固定晶片，并且沿着所述单分线的第二部分留下在所述多个半导体裸片中的邻近裸片之间延伸并且连接邻近裸片的晶片材料的连接件，借此将所述固定晶片部分地切块；在模制化合物中囊封所述部分切块的并且固定的晶片；以及通过至少部分地沿着所述整个单分线完全锯穿所述囊封的部分切块的晶片，将所述囊封的部分切块的晶片切块。所述将所述囊封的部分切块的晶片切块包括沿着整个所述单分线形成切割线，所述切割线比在对所述固定晶片的所述部分切块期间沿着所述单分线的所述第一部分形成的蚀刻线窄。

在另一实施例中，一种半导体装置，其包括：半导体裸片，其包括：作用表面；与所述作用表面相对的非作用表面；多个侧表面，其在所述作用表面与所述非作用表面之间延伸；以及突片，其从所述多个侧表面中的第一侧表面延伸；以及囊封物，其包围所述半导体裸片的至少所述侧表面，其中所述突片的端面从所述囊封物中露出。所述突片围绕在所述第一侧表面上。所述突片的端面与所述囊封物的侧表面共面。所述突片包括与所述半导体裸片的所述第一侧表面相同的高度。所述囊封物覆盖所述半导体裸片的所述非作用表面和所述突片的顶表面。所述囊封物包括环氧模制化合物。所述囊封物从所述半导体裸片的所述多个侧表面向外横向地延伸不超过25um。所述半导体裸片包括：第二突片，其从所述多个侧表面中的第二侧表面延伸，其中所述第二突片的端面从所述囊封物中露出；第三突片，其从所述多个侧表面中的第三侧表面延伸，其中所述第三突片的端面从所述囊封物中露出；以及第四突片，其从所述多个侧表面中的第四侧表面延伸，其中所述第四突片的端面从所述囊封物中露出。

附图说明

图1示出了根据本公开的各种态样的制造半导体封装的实例方法的流程图。

图2A-图2D示出了说明根据本公开的各种方面的图1的实例方法的各种态样的图式。

图3A-图3C示出了说明根据本公开的各种态样的实例半导体封装的侧视图、透视图和分解视图的图式。

具体实施方式