[发明专利]一种晶元清洗装置有效
申请号: | 201610816294.4 | 申请日: | 2016-09-09 |
公开(公告)号: | CN107086188B | 公开(公告)日: | 2020-07-03 |
发明(设计)人: | 郭辉;陈斌;矦亚茹 | 申请(专利权)人: | 深圳市新纶科技股份有限公司 |
主分类号: | H01L21/67 | 分类号: | H01L21/67;H01L21/02 |
代理公司: | 广州华进联合专利商标代理有限公司 44224 | 代理人: | 李航 |
地址: | 518052 广东省深圳市南山区*** | 国省代码: | 广东;44 |
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摘要: | |||
搜索关键词: | 一种 清洗 装置 | ||
1.一种晶元清洗装置,其特征在于,包括:清洗槽;晶元架,用于承载晶元;循环装置,用于循环利用清洗液;在线检测装置,用于实时检测清洗液中有效成分的浓度;以及自动加液装置,用于滴加清洗液;所述清洗槽包括内槽和外槽;所述外槽底部设置有超声波发生单元,内槽底部设置超声波震荡单元;所述晶元架设置在所述超声波震荡单元上,且跟随所述超声波震荡单元震动。
2.根据权利要求1所述的晶元清洗装置,其特征在于,所述内槽的高度大于晶元架的高度。
3.根据权利要求1或2项所述的晶元清洗装置,其特征在于,所述内槽设有一个或多个溢水孔。
4.根据权利要求3所述的晶元清洗装置,其特征在于,所述溢水孔的位置高于晶元架的顶部。
5.根据权利要求1或2项所述的晶元清洗装置,其特征在于,所述内槽和外槽底部均设有排液孔,所述内槽底部设有进液孔。
6.根据权利要求1所述的晶元清洗装置,其特征在于,所述循环装置包括压力泵、过滤装置。
7.根据权利要求6所述的晶元清洗装置,其特征在于,还包括加热装置。
8.根据权利要求1所述的晶元清洗装置,其特征在于,所述自动加液装置设置有一条初始加液管路和一条补充加液管路。
9.根据如权利要求1所述的晶元清洗装置,其特征在于,所述自动加液装置包括用于储存所述清洗液的有效成分的原料储罐,每个所述原料储罐储存一种所述清洗液的有效成分。
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H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置;专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理;集成电路器件或其特殊部件的制造