[发明专利]一种奇数层的Halbach阵列永磁体装置的设计与制作方法有效
申请号: | 201610816395.1 | 申请日: | 2016-09-12 |
公开(公告)号: | CN106229106B | 公开(公告)日: | 2017-12-01 |
发明(设计)人: | 陈巧燕;徐雅洁;常严;杨晓冬 | 申请(专利权)人: | 中国科学院苏州生物医学工程技术研究所 |
主分类号: | H01F7/02 | 分类号: | H01F7/02;H01F41/02;G06F17/50 |
代理公司: | 苏州华博知识产权代理有限公司32232 | 代理人: | 傅靖 |
地址: | 215163 江*** | 国省代码: | 江苏;32 |
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摘要: | |||
搜索关键词: | 一种 奇数 halbach 阵列 永磁体 装置 设计 制作方法 | ||
技术领域
本发明属于永磁机构领域,具体涉及一种奇数层的Halbach阵列永磁体装置的设计与制作方法。
背景技术
核磁共振技术的无损检测特点使其在生物、物理、化学、医学等领域得到广泛的应用,核磁共振成像检测更是成为临床诊断必不可少的手段之一。大型的超导高场磁共振仪器是当今磁共振技术发展的一个热点,但是小型化、便携式的永磁低场核磁共振设备更适用于工业和食品检测、探矿、考古、大分子结构分析等方面。常规的小型便携核磁共振仪器多采用传统永磁体,其磁体一般由铁轭、永磁磁块及匀场极板等构成,这类磁体由于铁轭的存在,体积大,比较笨重,且通常可利用的磁场空间有限、漏磁严重、磁场强度有限。针对这一问题,在上世纪80年代,美国加利福尼亚大学的物理学家K.Halbach设计了一种使用稀土材料的新型无铁轭多级磁体结构,这种永磁体结构是由多个磁块按照一定的规律组合成的,相邻的磁块具有不同的充磁方向,且产生的较理想的单边磁场。由于这种磁体结构的优异特性,得到了学者和工程人员的广泛关注,并且被应用于诸多的领域。
根据组合后的磁体形状一般分为直线型和圆柱型Halbach阵列两大类。直线型Halbach阵列是一种最基本的组合方式,主要用于制造直线电机。圆柱型Halbach阵列可以看做将直线型Halbach阵列首尾相接组成的,其又可分为多对极的和单对极的圆柱型Halbach阵列两种。多对极圆柱型Halbach阵列主要用于永磁电机和永磁轴承等领域。而单对极圆柱型Halbach阵列由于其不带铁磁材料、漏磁小和高均匀性的特性,逐渐应用于核磁共振检测和核磁共振成像等方面。本专利中所提及的Halbach阵列皆是对单对极圆柱型Halbach阵列的特指。
相对于传统的永磁体,Halbach磁体不仅具有能产生高强度和高均匀性磁场的优点,而且还具有体积比较小的优点,容易实现小型化和便携化。但当磁体体积进一步减小时,磁场的均匀性会变得更差,两者不可兼得。
因此,提出一种同时具备较小的体积和较高均匀性的Halbach阵列磁体是解决上述问题的关键。
发明内容
为了解决上述技术问题,本发明提出了一种奇数层的Halbach阵列永磁体装置,包含设计方法与制作方法,根据该设计和制作获得的Halbach阵列永磁体装置磁场均匀度高,磁体的体积小、重量轻。
为了达到上述目的,本发明的技术方案如下:
一种奇数层的Halbach阵列永磁体装置的设计方法,该装置包括奇数层的磁体,且磁体包括:设置于中心的中心层磁体以及设置于中心层磁体外侧的外层磁体,中心层磁体的高度为H0,外层磁体的高度为H1,奇数层的Halbach阵列永磁体装置的设计方法用于确定每层磁体之间的距离,具体包括以下步骤:
S.1建立奇数层Halbach磁体的中心轴磁场等效数学模型,其计算公式如下:
其中,x=z/r,t1=S1/r,t2=S2/r,...,t(m-1)/2=S(m-1)/2/r,Si为每层磁体之间的距离(i=1,2,…,(m-1)/2),k=H0/H1,z为中心轴上的距离,r为奇数层的Halbach阵列永磁体装置的等效半径,m为层数(m为奇数,且m>=3);
令F(t1,t2,…,t(m-1)/2,k)=min{abs(f”(0))+abs((f(s/r)-f(0))/f(0))};
S.2设定参数(t1,t2,…,t(m-1)/2,k)的初始范围,其中t1<t2<…<t(m-1)/2,其范围选择根据层数的不同而不同;
S.3设定步长,在参数的范围均匀取值,并将每组参数代入目标函数F中,寻找令F值最小的一组参数;
S.4增加限制条件如下,判断步骤S.3所得到的参数是否满足以下限制条件:
其中:λ=ΔB/B,表示磁场的均匀度;
若参数满足限制条件,则进行仿真验证,若仿真验证结果满足要求,则输出最优参数,奇数层的Halbach阵列永磁体装置的设计方法结束;
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