[发明专利]钛基底上镍锰复合氧化物纳米菱柱阵列电极及其制备方法有效
| 申请号： | 201610817064.X | 申请日： | 2016-09-12 |
| 公开（公告）号： | CN106449158B | 公开（公告）日： | 2018-07-17 |
| 发明（设计）人： | 刘金平;赵登峰;解超越 | 申请（专利权）人： | 武汉理工大学 |
| 主分类号： | H01G11/46 | 分类号： | H01G11/46;H01G11/24;H01G11/26;H01G11/28;H01G11/86 |
| 代理公司： | 湖北武汉永嘉专利代理有限公司 42102 | 代理人： | 乔宇;徐晓琴 |
| 地址： | 430070 湖*** | 国省代码： | 湖北;42 |
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| 摘要： | |||
| 搜索关键词： | 镍锰复合氧化物 菱柱 阵列电极 钛金属 钛基 制备 基底 工作电压区间 超级电容器 电化学性能 电化学应用 宽工作电压 三电极体系 基底表面 无机材料 阵列形式 正极材料 水电解 电极 单根 可用 垂直 生长 应用 | ||
【说明书】：
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