[发明专利]一种MoO3包覆TZO粉体的制备及其烧结方法在审
| 申请号： | 201610817752.6 | 申请日： | 2016-09-07 |
| 公开（公告）号： | CN107793145A | 公开（公告）日： | 2018-03-13 |
| 发明（设计）人： | 杨海涛;高玲;尚福亮;朱佐祥;彭伟 | 申请（专利权）人： | 深圳大学 |
| 主分类号： | C04B35/453 | 分类号： | C04B35/453;C04B35/626;C04B35/628;C04B35/622;C23C14/08 |
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| 地址： | 518060 广东*** | 国省代码： | 广东;44 |
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| 摘要： | |||
| 搜索关键词： | 一种 moo3 tzo 制备 及其 烧结 方法 | ||
【权利要求书】：
1.一种新的方法制备MoO3包覆TZO(氧化锌钛)粉体，其特征是用钼酸铵((NH4)6Mo7O24·4H2O)溶于水的特性，将TZO粉体在钼酸铵水溶液中湿磨，干燥后在TZO粉体表面形成分散均匀的钼酸铵包覆层，然后通过钼酸铵在100-200℃下的热解在TZO表面形成分散均匀的的MoO3包覆层，从而制备出MoO3包覆TZO粉体，实现MoO3的均匀掺杂。
2.对权利要求1所述的MoO3包覆TZO粉体，通过加成型剂-干燥-过筛-成型-烧结等工序，可制备出密度高于5.5g/cm3，抗弯强度大于100MPa，电阻率小于8×10-4Ω·cm的高性能高致密MoO3掺杂TZO材料。
3.对权利要求1所述的MoO3包覆TZO粉体的烧结，既可采用常压烧结工艺，也适用于气压烧结工艺，另外也可将权利要求1所述的MoO3包覆TZO粉体直接热压而得到致密MoO3掺杂TZO材料。
4.利用权利要求1所述的MoO3包覆TZO粉体制备的致密MoO3掺杂TZO材料，可制成各种复杂形状的制品，主要是溅射镀膜用的靶材(包括平面靶和旋转靶)，也可用于制造其它多种导电零部件。
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