[发明专利]一种低温制备高迁移率铟锆氧薄膜晶体管的溶液方法在审
| 申请号： | 201610821732.6 | 申请日： | 2016-09-14 |
| 公开（公告）号： | CN106653858A | 公开（公告）日： | 2017-05-10 |
| 发明（设计）人： | 夏国栋;刘金华;王素梅 | 申请（专利权）人： | 齐鲁工业大学 |
| 主分类号： | H01L29/786 | 分类号： | H01L29/786;H01L21/02;H01L21/34 |
| 代理公司： | 暂无信息 | 代理人： | 暂无信息 |
| 地址： | 250333 山东*** | 国省代码： | 山东;37 |
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| 摘要： | |||
| 搜索关键词： | 一种 低温 制备 迁移率 铟锆氧 薄膜晶体管 溶液 方法 | ||
1.一种低温制备高迁移率铟锆氧薄膜晶体管的溶液方法，其特征在于包括如下步骤：
(1) 制备铟锆氧前驱体溶液：称取可溶性的铟盐及锆盐，量取溶剂，配置浓度为0.01-0.5摩尔/升的铟锆氧前驱体溶液，经过0.1-3小时的磁力搅拌和超声分散形成澄清透明的铟锆氧前驱体溶液；
(2) 制备铟锆氧薄膜：将铟锆氧前驱体溶液涂覆到预先涂有介电层/栅极薄膜的衬底上形成铟锆氧前驱体薄膜，进行50-150 ℃的预热处理，然后经过一定功率、时间和温度的光波退火，根据铟锆氧薄膜的厚度要求可多次涂覆前驱体铟锆氧溶液并退火处理，得到铟锆氧透明半导体薄膜；
(3) 制备铟锆氧薄膜晶体管：在铟锆氧透明半导体薄膜上沉积源漏电极，即得到铟锆氧薄膜晶体管；
所述的光波的生成仪器为用作厨具的光波炉或具有卤素灯管的加热仪器。
2.根据权利要求1所述的一种低温制备高迁移率铟锆氧薄膜晶体管的溶液方法，其特征在于：所述的可溶性的铟盐为硝酸铟、氯化铟、硫酸铟或乙酸铟中的一种或两种以上。
3.根据权利要求1所述的一种低温制备高迁移率铟锆氧薄膜晶体管的溶液方法，其特征在于：所述的可溶性的锆盐为硝酸锆、氯化锆、硫酸锆或乙酸锆中的一种或两种以上。
4.根据权利要求1所述的一种低温制备高迁移率铟锆氧薄膜晶体管的溶液方法，其特征在于：所述的溶剂为乙二醇甲醚、乙醇、水、乙二醇或二甲基甲酰胺中的一种或两种以上。
5.根据权利要求1所述的一种低温制备高迁移率铟锆氧薄膜晶体管的溶液方法，其特征在于：所述涂覆方法为旋转涂覆法、滴涂法、浸涂法、喷雾法或喷墨打印法。
6.根据权利要求1所述的一种低温制备高迁移率铟锆氧薄膜晶体管的溶液方法，其特征在于：所述介电层为氧化硅、氧化锆、氧化铪、氧化铝、氧化钇或氧化镧中的一种或两种以上。
7.根据权利要求1所述的一种低温液相制备高迁移率铟锌氧薄膜晶体管的方法，其特征在于：所述的栅极薄膜为铝、铜、银、钼、氧化铟锡或金薄膜中的一种或两种以上。
8.根据权利要求1所述的一种低温制备高迁移率铟锆氧薄膜晶体管的溶液方法，其特征在于：所述的光波退火的功率为100-900 W。
9.根据权利要求1所述的一种低温制备高迁移率铟锆氧薄膜晶体管的溶液方法，其特征在于：所述的光波退火的时间为5-120分钟。
10.根据权利要求1所述的一种低温制备高迁移率铟锆氧薄膜晶体管的溶液方法，其特征在于：所述的光波退火过程中的温度为100-300 ℃。
11.根据权利要求1所述的一种低温制备高迁移率铟锆氧薄膜晶体管的溶液方法，其特征在于：所述的源漏电极为铝、铜、银、氧化铟锡或金薄膜中的一种或两种以上。
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