[发明专利]一种氧化铟透明半导体薄膜的低温溶液制备方法在审
| 申请号： | 201610821771.6 | 申请日： | 2016-09-14 |
| 公开（公告）号： | CN106783564A | 公开（公告）日： | 2017-05-31 |
| 发明（设计）人： | 夏国栋;姚书山;王素梅 | 申请（专利权）人： | 齐鲁工业大学 |
| 主分类号： | H01L21/28 | 分类号： | H01L21/28 |
| 代理公司： | 暂无信息 | 代理人： | 暂无信息 |
| 地址： | 250333 山东*** | 国省代码： | 山东;37 |
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| 摘要： | |||
| 搜索关键词： | 一种 氧化 透明 半导体 薄膜 低温 溶液 制备 方法 | ||
1.一种氧化铟透明半导体薄膜的低温溶液制备方法，其特征在于包括如下步骤：
(1) 制备氧化铟前驱体溶液：称取可溶性的铟盐，量取溶剂，配置浓度为0.01-0.5摩尔/升的氧化铟前驱体溶液，经过0.1-3小时的磁力搅拌和超声分散形成澄清透明的氧化铟前驱体溶液；
(2) 制备氧化铟薄膜：将氧化铟前驱体溶液涂覆到清洗好的衬底上形成氧化铟前驱体薄膜，进行50-150 ℃的预热处理，然后经过一定功率、时间和温度的光波退火，根据氧化铟薄膜的厚度要求可多次涂覆前驱体氧化铟溶液并退火处理，即得到氧化铟透明半导体薄膜；
所述的光波的生成仪器为用作厨具的光波炉或具有卤素灯管的加热仪器。
2.根据权利要求1所述的一种氧化铟透明半导体薄膜的低温溶液制备方法，其特征在于：所述的可溶性的铟盐为硝酸铟、氯化铟、硫酸铟或乙酸铟中的一种或两种以上。
3.根据权利要求1所述的一种氧化铟透明半导体薄膜的低温溶液制备方法，其特征在于：所述的溶剂为乙二醇甲醚、乙醇、水、乙二醇或二甲基甲酰胺中的一种或两种以上。
4.根据权利要求1所述的一种氧化铟透明半导体薄膜的低温溶液制备方法，其特征在于：所述涂覆方法为旋转涂覆法、滴涂法、浸涂法、喷雾法或喷墨打印法。
5.根据权利要求1所述的一种氧化铟透明半导体薄膜的低温溶液制备方法，其特征在于：所述的光波退火的功率为100-900 W。
6.根据权利要求1所述的一种氧化铟透明半导体薄膜的低温溶液制备方法，其特征在于：所述的光波退火的时间为5-120分钟。
7.根据权利要求1所述的一种氧化铟透明半导体薄膜的低温溶液制备方法，其特征在于：所述的光波退火过程中的温度为100-300 ℃。
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H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
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H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
