[发明专利]组合物、薄膜、以及包括组合物和薄膜的有机发光器件

权利要求书

1.组合物，其包括：

给体化合物和受体化合物，

其中所述给体化合物和所述受体化合物形成激基复合物，

所述激基复合物的光致发光光谱中的最大发射波长为390纳米(nm)或更大且490nm或更小，

所述激基复合物的时间分辨光致发光光谱中的延迟荧光的衰减时间为100纳秒(ns)或更大，

所述激基复合物的时间分辨光致发光光谱中的延迟荧光部分对全部发光部分的比率为10％或更大，

所述激基复合物的光致发光稳定性为59％或更大，

所述激基复合物的光致发光光谱和时间分辨光致发光光谱各自是对于通过在基底上共沉积所述给体化合物和所述受体化合物而形成的膜在室温下测量的，和

所述激基复合物的光致发光稳定性是根据方程10评价的：

方程10

光致发光稳定性(％)＝(I₂/I₁)×100

其中，在方程10中，

I₁是在膜1的光致发光光谱中的最大发射波长处的光的任意单位的强度，膜1的光致发光光谱是在通过在基底上共沉积所述给体化合物和所述受体化合物而形成膜之后立即获得的，是在室温下在其中切断外部空气的惰性气氛中测量的，和

I₂是在膜2的光致发光光谱中的最大发射波长处的光的任意单位的强度，膜2的光致发光光谱是在将膜1在其中切断外部空气的惰性气氛中暴露于在I₁的评价中使用的泵浦激光3小时之后获得的，是在室温下在其中切断外部空气的惰性气氛中测量的，

其中

所述给体化合物选自由式D-1表示的化合物，

式D-1

Ar₁-(L₁)_a1-Ar₂

其中在式D-1中，

Ar₁和Ar₂独立地选自由式11-7表示的基团，L₁选自亚苯基、和被选自如下的至少一个取代的亚苯基：氘、C₁-C₁₀烷基、和C₁-C₁₀烷氧基，并且a1为大于0且小于或等于2的整数；或者

Ar₁选自由式11-8表示的基团，Ar₂选自苯基、或被选自氘和C₁-C₂₀烷基的至少一个取代的苯基，L₁为单键，并且a1为选自0-5的整数，

其中在式11-7和11-8中，

A₁选自

单键、和C₁-C₄亚烷基；和

被选自如下的至少一个取代的C₁-C₄亚烷基：氘、C₁-C₁₀烷基、C₁-C₁₀烷氧基、和苯基；

R₁₁-R₁₆和R₂₁-R₂₄各自独立地选自

氢、氘、C₁-C₂₀烷基、和C₁-C₂₀烷氧基；

各自被氘取代的C₁-C₂₀烷基和C₁-C₂₀烷氧基；

苯基；和

被选自如下的至少一个取代的苯基：氘、C₁-C₂₀烷基、和C₁-C₂₀烷氧基，和

X₁₁和X₁₃各自独立地为N(R₁₉)，其中R₁₉为苯基、或者被选自如下的至少一个取代的苯基：氘、C₁-C₂₀烷基、和C₁-C₂₀烷氧基，和

其中所述受体化合物选自由式A-1表示的化合物：

式A-1

Ar₁₁-(L₁₁)_a11-Ar₁₂，

其中所述受体化合物选自如下化合物(i)：

其中式A-1中的Ar₁₁和Ar₁₂各自独立地选自由式17-1到17-3表示的基团，并且Ar₁₁和Ar₁₂的至少一个选自由式17-2和17-3表示的基团，

其中式A-1中的L₁₁选自由式3-15和3-28表示的基团，和

其中a11为大于0且小于或等于2的整数，

其中，在式17-1到17-3、3-15、和3-28中，

R₃₀和R₄₀各自独立地选自氢、氘、C₁-C₁₀烷基、和C₁-C₁₀烷氧基；

Z₁选自氢、氘、氰基、C₁-C₁₀烷基、C₁-C₁₀烷氧基、和被氰基取代的苯基，和

d4为选自0-4的整数，

或者所述受体化合物选自如下化合物(ii)：

其中式A-1中的Ar₁₁和Ar₁₂各自独立地选自由式17-1表示的基团其中在式17-1中，R₃₀和R₄₀各自独立地选自氢、氘、C₁-C₁₀烷基、和C₁-C₁₀烷氧基，和

其中

式A-1中的L₁₁为被氰基取代的亚苯基，并且a11为2；或者

式A-1中的L₁₁为被如下取代的亚苯基：被氰基取代的苯基，并且a11为大于0且小于2的整数，

其中在式11-7和11-8以及式17-1到17-3、3-15、和3-28中，*和*′各自表示与相邻原子的结合位点，

其中所述组合物进一步包括荧光掺杂剂，和

其中所述荧光掺杂剂选自由式501表示的化合物：

式501

其中，在式501中，

Ar₅₀₁选自

二苯并芴基、荧蒽基、苯并[9,10]菲基、芘基、苝基、和茚并蒽基；和

各自被选自如下的至少一个取代的二苯并芴基、荧蒽基、苯并[9,10]菲基、芘基、苝基、和茚并蒽基：氘、-F、-Cl、-Br、-I、氰基、和C₁-C₂₀烷基，

L₅₀₁-L₅₀₃各自独立地选自取代或未取代的C₃-C₁₀亚环烷基，

R₅₀₁和R₅₀₂各自独立地选自苯基，

xd1-xd3各自为0，和

xd4为0。