[发明专利]屏蔽栅沟槽功率器件及其制造方法有效
| 申请号： | 201610822429.8 | 申请日： | 2016-09-13 |
| 公开（公告）号： | CN106298941B | 公开（公告）日： | 2019-04-09 |
| 发明（设计）人： | 颜树范 | 申请（专利权）人： | 上海华虹宏力半导体制造有限公司 |
| 主分类号： | H01L29/78 | 分类号： | H01L29/78;H01L29/423;H01L21/336 |
| 代理公司： | 上海浦一知识产权代理有限公司 31211 | 代理人： | 郭四华 |
| 地址： | 201203 上海市浦东*** | 国省代码： | 上海;31 |
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| 摘要： | |||
| 搜索关键词： | 屏蔽 沟槽 功率 器件 及其 制造 方法 | ||
【权利要求书】：
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