[发明专利]一种信息处理方法及终端

说明书

本发明实施例公开了一种信息处理方法及终端。所述方法应用于终端中；所述终端包括至少两个智能卡卡槽；所述方法包括：检测到第一智能卡和第二智能卡分别满足预设条件时，控制第二智能卡通过无线资源控制(RRC)释放切换至长期演进(LTE)空闲态；读取所述第二智能卡驻留的第一小区的第一寻呼周期参数，以及计算所述第二智能卡接收寻呼时间范围；控制所述移动终端的射频调回所述第一智能卡驻留的第二小区，读取所述第二小区的第二寻呼周期参数；根据所述第一寻呼周期参数和所述第二寻呼周期参数，在所述第二智能卡接收寻呼时间范围内接收所述第二智能卡的寻呼。

技术领域

本发明涉及无线通信技术，具体涉及一种信息处理方法及终端。

背景技术

随着基于IMS的语音业务(VoLTE，Voice over LTE)的普及，目前已经有VoLTE+G双卡单通终端面世。VoLTE+G双卡单通终端可以解决用户插入一张VoLTE签约的全球用户身份模块(USIM，Universal Subscriber Identity Module)卡的情况，也就是只能采用其中一卡拨打VoLTE通话，而另一卡必须使用传统的电路交换(CS，Circuit Switched)语音来拨打电话。这对于运营商积极推进希望通过VoLTE的全面商用成熟来释放全球移动通信系统(GSM，Global System for Mobile Communication)频段，引导现有CS用户升级至VoLTE产生不利影响。亟需推出支持双卡双LTE单通终端，其中主卡或副卡可以选择支持VoLTE或同时支持VoLTE。

目前双LTE双卡单通终端的技术方案采用借用目前终端主卡支持载波聚合的射频架构优势来实现双卡分别驻留在LTE网络。也就是说目前主卡支持下行带间载波聚合时具备两条相对独立的接收通道，一个上行发射通道；当双LTE双卡终端处于VoLTE覆盖区域时，因为终端为单通终端，所以只能将主卡用于下行载波聚合的两个射频接收通道分离出一个用于副卡待机。主副卡任一卡有VoLTE话音或者数据业务时，占用上行发射通道。

现有技术方案的缺点如下：

1、现有技术方案必须借用主卡支持下行载波聚合的射频架构来支持副卡LTE的待机，否则无法保证副卡能够收到VoLTE或电路域回落(CSFB，Circuit Switched Fallback)寻呼；而主卡具备下行载波聚合的技术方案基本都应用于高端机，低端机限于成本等原因无法支持载波聚合技术，因此该方案无法适用于所有类型的终端。

2、现有技术方案由于需要借用载波聚合射频架构，而每个运营商都有特定的载波聚合射频组合，所以即使推出射频载波聚合高端机也无法支持手机双卡采用不同运营商插卡组合。例如，主卡如果支持中国移动载波聚合射频组合，则此手机不支持主卡插入中国移动的智能卡、副卡插入中国联通的智能卡来使用双VoLTE。其中，最主要的问题在于，主卡在进行数据业务时，如何保证能监听到副卡来自于VoLTE或CSFB寻呼。由于终端主副卡之间需要通过射频打孔的方式实现双待，如果副卡处于LTE连接态时且副卡被叫时，网络侧直接给终端副卡发送Invite消息终端会漏掉Invite消息，导致副卡被叫失败。

发明内容

为解决现有存在的技术问题，本发明实施例提供了一种信息处理方法及终端。

为达到上述目的，本发明实施例的技术方案是这样实现的：

本发明实施例提供了一种信息处理方法，应用于终端中；所述终端包括至少两个智能卡卡槽；所述方法包括：

检测到第一智能卡和第二智能卡分别满足预设条件时，控制第二智能卡通过无线资源控制(RRC，Radio Resource Control)释放切换至长期演进(LTE，Long TermEvolution)空闲态；

读取所述第二智能卡驻留的第一小区的第一寻呼周期参数，以及计算所述第二智能卡接收寻呼时间范围；

控制所述移动终端的射频调回所述第一智能卡驻留的第二小区，读取所述第二小区的第二寻呼周期参数；