[发明专利]分割晶圆的方法

说明书

技术领域

本揭露是有关一种晶圆，且特别是提供一种晶圆及其分割方法。

背景技术

半导体制程包含利用各种制作流程，例如光微影制程、沉积制程、布植制程与蚀刻制程，形成许多集成电路于单一半导体晶圆上。紧接于集成电路的生成，为了将个别的集成电路分开为晶片或晶粒，此晶圆是被切开或锯开。

在一些方法中，此晶圆是利用切割锯，以切过相邻晶粒间的晶圆的一部分的方式切开。在一些方法中，为了降低损坏相邻晶粒的风险，宽沟渠是形成于晶圆中，以助于引导切割锯。此宽沟渠是称之为切割道，在一些例子中。切割道的宽度是足以允许切割锯穿过切割道，而没有接触相邻晶粒。

发明内容

一实施例为一种分割晶圆的方法。此方法包含定义围绕一组晶粒的切割道。此方法还包含蚀刻多个沟渠至晶圆中，其中这些沟渠的每一个连接至切割道，这些沟渠的每一个是位于此组晶粒的相邻晶粒间，这些沟渠的每一个的宽度是小于切割道的宽度，且这些沟渠的每一个的深度是小于晶圆的厚度。此方法还包含薄化晶圆，以暴露出这些沟渠的底表面。此方法还包含沿着切割道切割，以将此组晶粒与晶圆的又一部分分开。

另一实施例为一种分割晶圆的方法。此方法包含凹陷晶圆的一部分，以定义围绕一组晶粒的切割道，其中切割道具有第一深度。此方法还包含蚀刻多个沟渠至晶圆中，其中这些沟渠的每一个连接至切割道，这些沟渠的每一个是位于此组晶粒中的相邻晶粒间，这些沟渠的每一个具有大于第一深度的第二深度，且此第二深度小于晶圆的厚度。此方法还包含沉积介电材料至这些沟渠中。此方法还包含薄化晶圆，以暴露出这些沟渠中的介电材料。此方法还包含沿着切割道切割，以将此组晶粒与晶圆的又一部分分开。

又一实施例为一种晶圆。此晶圆包含第一组晶粒与第二组晶粒。此晶圆还包含分开第一组晶粒与第二组晶粒的切割道，其中此切割道具有第一宽度。此方法还包含介于第一组晶粒的相邻晶粒间的多个沟渠，且这些沟渠连接至切割道，其中这些沟渠具有小于第一宽度的第二宽度，且这些沟渠的每一个的深度小于晶圆的厚度。

附图说明

从以下结合所附附图所做的详细描述，可对本揭露的态样有更佳的了解。需注意的是，根据业界的标准实务，各特征并未依比例绘示。事实上，为了使讨论更为清楚，各特征的尺寸可任意地增加或减少。

图1是绘示依据一些实施例的分割晶圆的方法的流程图；

图2是绘示依据一些实施例的晶圆于分割晶圆的方法的期间的透视图；

图3是绘示依据一些实施例的晶圆的一部分于分割晶圆的方法的期间的透视图；

图4是绘示依据一些实施例的晶圆于分割晶圆的方法的期间的剖视图；

图5是绘示依据一些实施例的晶圆于分割晶圆的方法的期间的剖视图；

图6是绘示依据一些实施例的晶圆于分割晶圆的方法的期间的剖视图；

图7是绘示依据一些实施例的晶粒的透视图。

具体实施方式

以下的揭露提供了许多不同的实施例或例子，以实施发明的不同特征。以下所描述的构件与安排的特定例子是用以简化本揭露。当然这些仅为例子，并非用以做为限制。举例而言，在描述中，第一特征形成于第二特征上方或上，可能包含第一特征与第二特征以直接接触的方式形成的实施例，而也可能包含额外特征可能形成在第一特征与第二特征之间的实施例，如此第一特征与第二特征可能不会直接接触。此外，本揭露可能会在各例子中重复参考数字及/或文字。这样的重复是基于简单与清楚的目的，以其本身而言并非用以指定所讨论的各实施例及/或配置之间的关系。

另外，在此可能会使用空间相对用语，例如“向下(beneath)”、“下方(below)”、“较低(lower)”、“上方(above)”、“较高(upper)”等等，以方便描述来说明如附图所绘示的一元件或一特征与另一(另一些)元件或特征的关系。除了在图中所绘示的方向外，这些空间相对用词意欲含括元件在使用或操作中的不同方位。设备可能以不同方式定位(旋转90度或在其他方位上)，因此可利用同样的方式来解释在此所使用的空间相对描述符号。

随着技术节点尺寸的缩小且集成电路变的更小，于制作流程期间，晶圆的减少数量是被实施。于晶圆上个别的晶粒生成后，由于晶圆中切割道数量的增加，晶圆的利用性是降低，其中切割道数量的增加是为了容许晶圆的切开。此切割道是用以容许切割锯通过，而降低其对晶圆上邻近的晶粒的危害风险。切割道亦包含如测试垫的特征，以于制造流程期间测试所形成的晶粒的性质；于制造流程的期间，助于各种光罩的对准的对准标记；及/或其他相等的信息。