[发明专利]一种基于IBIS的集成电路总剂量效应建模方法

权利要求书

1.一种基于IBIS的集成电路总剂量效应建模方法，其特征在于，所述基于IBIS的集成电路总剂量效应建模方法是对原始电子器件分别采用不同的目标累积剂量进行辐照，得到不同辐照剂量下器件的受损情况；对经过辐照后的器件进行数据测量，根据测量数据对经过辐照后的原始电子器件分别进行模型提取，构建全部目标累计剂量下电子器件的IBIS模型数据库；在给定辐照总剂量D的情况下，根据D对构建好的器件模型数据库进行插值操作，获得该辐照剂量下的VI和VT插值数据，并根据插值数据构建IBIS模型，即该辐照剂量下器件的IBIS总剂量效应模型。

2.如权利要求1所述的基于IBIS的集成电路总剂量效应建模方法，其特征在于，由原始电子器件的IBIS模型和经过不同目标累积剂量辐照后的电子器件的IBIS模型共同构成与总剂量辐射相关的器件IBIS模型数据库。

3.如权利要求1所述的基于IBIS的集成电路总剂量效应建模方法，其特征在于，对经过一定目标剂量辐照后的电子器件进行VI和VT IBIS数据的测量，构建该目标剂量辐照条件下的电子器件的IBIS模型数据文件。

4.如权利要求1所述的基于IBIS的器件总剂量效应建模方法，其特征在于，对VT IBIS模型数据进行插值的操作，具体包括：

对每一个辐照剂量下的IBIS数据文件中的VT数据进行统一化操作；即对VT数据而言，合并所有IBIS文件中的时间T，并且除去其中重复的时间节点，最终得出一个统一的时间T的分布；

为VT数据提取不同辐照剂量下同一时间节点T对应的电压数据；

给定辐照剂量D，根据同一时间节点T下不同剂量的电压数据V进行插值操作，获得D下该时间T对应的电压V，用相同的插值方法为D下剩余的其他时间节点进行插值操作，获得辐照剂量D下的器件的IBIS数据模型。

5.一种利用权利要求1～4任意一项所述基于IBIS的集成电路总剂量效应建模方法构建的在辐照条件下进行PCB信号完整性仿真分析所需的集成电路总剂量效应模型。