[发明专利]减反射薄膜及其制备方法、其模具的制备方法在审
申请号: | 201610825584.5 | 申请日: | 2016-09-14 |
公开(公告)号: | CN107092044A | 公开(公告)日: | 2017-08-25 |
发明(设计)人: | 徐良衡;庄孝磊 | 申请(专利权)人: | 上海天臣防伪技术股份有限公司 |
主分类号: | G02B1/118 | 分类号: | G02B1/118 |
代理公司: | 上海弼兴律师事务所31283 | 代理人: | 薛琦,王聪 |
地址: | 200433 上海*** | 国省代码: | 上海;31 |
权利要求书: | 查看更多 | 说明书: | 查看更多 |
摘要: | |||
搜索关键词: | 反射 薄膜 及其 制备 方法 模具 | ||
技术领域
本发明涉及一种减反射薄膜及其制备方法、其模具的制备方法。
背景技术
亚波长结构的减反射薄膜在光电探测器、半导体激光器以及发光二级管等光学器件上有着非常重要的意义和广泛的应用。该减反射膜中起减反射作用的主要为凹凸结构层,但是该凹凸结构容易吸附油渍和细小尘埃,而油渍和细小尘埃会影响减反射薄膜的减反射的光学效果,从而影响器件的光透率。减反射膜与硬物接触和摩擦,其凹凸结构容易损坏,同样会破坏亚波长结构的减反射薄膜的减反射效果。可见,现有的亚波长结构的减反射薄膜的使用寿命较短。
发明内容
本发明要解决的技术问题是为了克服现有技术的亚波长结构的减反射薄膜由于凹凸结构容易损坏、且容易吸附油渍和细小尘埃,致使减反射效果消弱,从而导致减反射薄膜使用寿命短的缺陷,提供一种减反射薄膜及其制备方法、其模具的制备方法。
本发明是通过下述技术方案来解决上述技术问题的:
一种减反射薄膜,其特点在于,所述减反射薄膜包括亚波长结构层,所述亚波长结构层上具有凸起结构。
本方案中的亚波长结构层即为薄膜表层的纳米级的凹凸结构,该凹凸结构起到抑制光反射的作用。由于纳米级的凹凸结构容易吸附油渍及小尘埃,且其与硬物接触、摩擦容易损坏,致使抑制光反射的效果大大消弱,而本方案中的凸起结构能够对亚波长结构层起到很好的保护效果,从而延长减反射薄膜的使用寿命。
较佳地,所述凸起结构垂直投影于所述亚波长结构层上的形状为网状结构;
所述凸起结构包括若干凸起单元,所述凸起单元为多边形,且相邻的凸起单元连接形成所述网状结构。
较佳地,所述凸起结构的占空比为5%-50%,所述占空比为投影面积与所述减反射薄膜的面积之比;
和/或,所述凸起单元的高宽比为0.5-5;
和/或,所述凸起单元的宽度为1μm-20μm,所述凸起单元的高度为0.5μm-20μm。
较佳地,所述凸起结构的占空比为5%-20%;
和/或,所述凸起单元的高宽比为1-3;
和/或,所述凸起单元的宽度为2μm-10μm,所述凸起单元的高度为2μm-10μm。
较佳地,所述凸起结构包括若干凸起单元,所述若干凸起单元分散地布置于所述亚波长结构层,且所述凸起单元投影于所述亚波长结构层上的形状为线条型。
较佳地,所述凸起单元投影于所述亚波长结构层上的形状为T形。
较佳地,所述若干凸起单元随机排布。
较佳地,所述凸起结构的占空比为3%-30%,所述占空比为所述凸起结构的投影面积与所述减反射薄膜的面积之比;
和/或,所述凸起单元的高宽比为0.5-5;
和/或,所述凸起单元的宽度为1μm-30μm,所述凸起单元的高度为0.5μm-20μm。
较佳地,所述凸起结构的占空比为3%-20%;
和/或,所述凸起单元的高宽比为1-3;
和/或,所述凸起单元的宽度为2μm-20μm,所述凸起单元的高度为2μm-10μm。
较佳地,所述凸起结构包括若干凸起单元,所述若干凸起单元分散地布置于所述亚波长结构层,且所述凸起单元为柱状。
较佳地,所述凸起单元为圆柱体、长方体、三角柱、六角柱和不规则多面体中的一种或多种。
较佳地,所述若干凸起单元随机排布。
较佳地,所述凸起结构的占空比为1%-30%,所述占空比为所述凸起结构的投影面积与所述减反射薄膜的面积之比;
和/或,所述凸起单元的高宽比为0.5-5;
和/或,所述凸起单元的宽度为1μm-50μm,所述凸起单元的高度为0.5μm-30μm。
较佳地,所述凸起结构的占空比为2%-20%;
和/或,所述凸起单元的高宽比为1-3;
和/或,所述凸起单元的宽度为2μm-30μm,所述凸起单元的高度为2μm-20μm。
本发明还提供一种用于制备如上所述的减反射薄膜的模具的制备方法,其特点在于,所述制备方法包括以下步骤:
S100、将具有亚波长结构层的阳极氧化铝模板清洗后,进行烘干;
S200、在所述亚波长结构层涂抹厚度均匀的光刻胶,并采用光掩膜版对光刻胶进行曝光、显影以及表面脱模处理后得到具有凸起结构的初始模具;
该专利技术资料仅供研究查看技术是否侵权等信息,商用须获得专利权人授权。该专利全部权利属于上海天臣防伪技术股份有限公司,未经上海天臣防伪技术股份有限公司许可,擅自商用是侵权行为。如果您想购买此专利、获得商业授权和技术合作,请联系【客服】
本文链接:http://www.vipzhuanli.com/pat/books/201610825584.5/2.html,转载请声明来源钻瓜专利网。