[发明专利]一种Fe3O4纳米粒子图案化分布生长的制备方法有效
| 申请号： | 201610828400.0 | 申请日： | 2016-09-19 |
| 公开（公告）号： | CN106319591B | 公开（公告）日： | 2019-01-08 |
| 发明（设计）人： | 王作斌;董莉彤;王璐;孟庆玲;翁占坤;宋正勋;许红梅 | 申请（专利权）人： | 长春理工大学 |
| 主分类号： | C25D9/04 | 分类号： | C25D9/04;C25C5/02;B82Y40/00 |
| 代理公司： | 北京科迪生专利代理有限责任公司 11251 | 代理人： | 成金玉;卢纪 |
| 地址： | 130022 *** | 国省代码： | 吉林;22 |
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| 摘要： | |||
| 搜索关键词： | 氢化非晶硅 氧化物纳米粒子 图案化分布 电场 薄膜表面 制备 生长 形貌 纳米粒子图案 透明导电玻璃 投影仪 电化学技术 电化学 电场分布 光场分布 光电特性 基底背面 诱导光源 薄膜 粒子 照射 | ||
1.一种Fe3O4纳米粒子图案化分布生长的制备方法，其特征在于：利用氢化非晶硅(a-Si:H)的光电特性，光源经过容器和溶液照射到氢化非晶硅(a-Si:H)薄膜-ITO透明导电玻璃基底背面，光透过ITO透明导电玻璃基底背面照射到氢化非晶硅(a-Si:H)薄膜背面，氢化非晶硅(a-Si:H)薄膜在光场的作用下产生电子，形成光-电场，再利用光-电场的作用，通过三相电极体系电化学技术，即以氢化非晶硅(a-Si:H)薄膜-ITO透明导电玻璃基底作为工作电极，以高纯铁片作为对电极，参比电极为饱和甘汞电极，通过电化学工作站提供直流电，电流为1-10mA，在氢化非晶硅(a-Si:H)薄膜表面获得不同尺寸、不同形貌的Fe3O4纳米粒子，以投影仪的高压汞灯作为光源，透过ITO透明导电玻璃基底背面，投影任意光斑图案至氢化非晶硅(a-Si:H)薄膜背面，在氢化非晶硅(a-Si:H)薄膜表面形成相应的光-电场分布，根据光场分布的改变，使氢化非晶硅(a-Si:H)薄膜表面的电场分布发生相应改变，从而控制Fe3O4纳米粒子图案化分布生长。
2.根据权利要求1所述的制备方法，其特征在于：所述的氢化非晶硅(a-Si:H)薄膜是通过PECVD技术在ITO薄膜表面沉积获得，其厚度为1-2um，氢化非晶硅(a-Si:H)薄膜光敏性大于100000。
3.根据权利要求2所述的制备方法，其特征在于：所述ITO薄膜的厚度为200-300nm，其方阻为4-5Ω。
4.根据权利要求1所述的制备方法，其特征在于：所述的容器为石英烧瓶，其透过率90-98％，所述的溶液为FeCl2和FeCl3按照1:1-1:3比例配制混合的电解质溶液，超声频率为60-80Hz，超声温度为20-30℃，超声时间为1-5min。
5.根据权利要求1所述的制备方法，其特征在于：所述的Fe3O4纳米粒子的形状和尺寸由电化学沉积参数控制，电流为1-10mA，加热温度25-60℃，沉积时间10s-10min。
6.根据权利要求1所述的制备方法，其特征在于：所述的Fe3O4纳米粒子图案化分布与投影仪的投影图案一致。
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