[发明专利]形成精细图案的方法

说明书

一种形成精细图案的方法包括：在底层之上形成以行和列排列的柱体，并且在底层之上形成间隔件以覆盖柱体。分别覆盖排列在每个行或者每个列中的柱体的间隔件层的部分彼此接触，以提供设置在沿着行方向和列方向之间的对角线方向排列的柱体之间的第一间隙空间，并且以在平面图中第一间隙空间的每个的拐角处设置裂隙。愈合层形成在间隔件层上,以填充第一间隙空间的裂隙。愈合层形成为提供分别位于第一间隙空间中的第二间隙空间，并且包括聚合物材料。

相关申请的交叉引用

本申请要求于2016年3月21日提交的申请号为10-2016-0033473的韩国专利申请的优先权，其全部内容通过引用合并于此。

技术领域

本发明的各种实施例总体而言涉及半导体技术，更具体地，涉及形成精细图案的方法。

背景技术

随着半导体产业的快速增长,很多努力集中于将更多的图案集成在半导体衬底的有限区域中。即，增加半导体器件的集成密度的尝试已经典型地集中于形成更精细的图案。针对形成具有纳米级临界尺寸(CD)的精细图案，例如从大约几纳米至大约几十纳米的尺寸，已经提出了各种技术。

在仅使用光刻工艺来形成半导体器件的精细图案的情况下，由于在光刻工艺中所使用的光刻装置的图像分辨率极限，而在形成精细图案时会存在一些限制。光刻装置的图像分辨率极限可能是归因于光刻装置中使用的光源所产生的光的波长，以及归因于光刻装置中所使用的现有的光学系统的分辨率极限。近来，已经提出了双图案化技术(DPT)或者间隔件图案化技术(SPT)，以克服光刻装置的分辨率极限并且实现甚至更精细的图案。

发明内容

根据一个实施例，提供了一种形成精细图案的方法。所述方法包括：在底层之上形成以行和列排列的柱体，并且在底层之上形成间隔件层以覆盖柱体。分别覆盖排列在每个行或者每个列中的柱体的间隔件层的部分彼此接触，以提供设置在沿着行方向和列方向之间的对角线方向排列的柱体之间的第一间隙空间，并且在平面图中第一间隙空间的每个的拐角处设置裂隙。愈合层形成在间隔件层上,以填充第一间隙空间的裂隙。愈合层形成为提供分别位于第一间隙空间中的第二间隙空间，并且包括聚合物材料。

根据另一个实施例，提供了一种形成精细图案的方法。所述方法包括：在底层之上形成以行和列排列的柱体，并且在底层之上形成间隔件以覆盖柱体。间隔件层形成为提供设置在沿着行方向与列方向之间的对角线方向排列的柱体之间的第一间隙空间。愈合层形成在间隔件层的侧壁上，以平滑在平面图中的间隔件层的侧壁的表面轮廓。愈合层形成为包括聚合物材料。

根据又一个实施例，提供了一种形成精细图案的方法。所述方法包括在底层之上形成图案结构。所述图案结构形成为提供在它们之间的第一间隙空间，并且形成为包括具有裂隙的侧壁。愈合层形成在所述图案结构的侧壁之上，以填充裂隙并且提供分别位于第一间隙空间中的第二间隙空间。愈合层形成为包括聚合物材料。

附图说明

结合附图和所附具体描述，本发明的各种实施例将变得更加显然，其中：

图1至图16图示了根据本发明的一个实施例的形成精细图案的方法；

图17为根据本发明的一个实施例的、组成使用于形成精细图案的方法中的愈合层的聚合物链的示意图；

图18图示了根据本发明的一个实施例的、使用于形成精细图案的方法中的间隔件层的表面官能团；

图19为根据本发明的一个实施例的、接枝至使用于形成精细图案的方法中的图案结构上的聚合物链的示意图；

图20图示了根据本发明的一个实施例的、形成使用于形成精细图案的方法中的接枝层的步骤；

图21图示了根据本发明的一个实施例的、形成使用于形成精细图案的方法中的愈合层的步骤；