[发明专利]一种石墨烯的制备方法

权利要求书

1.一种石墨烯的制备方法，用于将所述石墨烯层转移到一器件上，

其特征在于，所述制备方法包括以下步骤：

1)提供基板，在所述基板之上沉积一层金属氧化物层；

2)在所述金属氧化物层之上沉积一层第一金属层，并且对所述第一金属层进行图案化；

3)在图案化后的所述第一金属层上沉积石墨烯层；

4)将所述石墨烯层与所述器件的待转移石墨烯层的界面进行对位；再采用激光打断位于所述基板与所述第一金属层之间的任意两层之间的链接，从而使得所述石墨烯层对应地转移到所述界面上；以及

5)将所述石墨烯层的位于所述第一金属层一侧的部分全部去除，仅保留所述石墨烯层在所述器件上。

2.如权利要求1所述的制备方法，其特征在于：

所述第一金属层所采用的材料选自Cu、Ni、Pt、Ir或Ru中的任意一种。

3.如权利要求2所述的制备方法，其特征在于：

所述步骤2)中，在所述第一金属层沉积之后、图案化之前，对所述第一金属层的晶面进行调整至晶面指数为(111)。

4.如权利要求2所述的制备方法，其特征在于：

所述第一金属层的厚度不低于50nm且不高于100nm。

5.如权利要求1所述的制备方法，其特征在于：

所述步骤2)中的图案化是指采用光刻定义出图案并显影刻蚀出所需图案。

6.如权利要求1所述的制备方法，其特征在于：

在所述的步骤4)之前，在所述基板上形成数个第一对位标记件，在所述器件上对应地形成数个可以与所述第一对位标记件配合的第二对位标记件，

在所述的步骤4)中，将每一个所述第一对位标记件与所述第二对位标记件一一对应配合，从而实现所述石墨烯层与所述器件界面的对位。

7.如权利要求6所述的制备方法，其特征在于：

所述第一对位标记件与所述第二对位标记件的配合方式为十字型凹槽与十字型凸起的配合方式。

8.如权利要求6所述的制备方法，其特征在于：

在所述步骤2)中，对所述第一金属层进行图案化的过程还包括在所述基板上形成数个第一对位标记件。

9.如权利要求1所述的制备方法，其特征在于：

所述基板为石英基板。

10.如权利要求1所述的制备方法，其特征在于：

所述金属氧化物层所采用的材料选自Al₂O₃或TiO₂。

11.如权利要求1所述的制备方法，其特征在于：

所述制备方法还包括在步骤5)之后进行的步骤6)：在所述石墨烯层表面制作一层透明的保护固定层。

12.如权利要求11所述的制备方法，其特征在于：

所述透明的保护固定层采用聚酰亚胺或氧化硅。

13.如权利要求1至12中任意一项所述的制备方法，其特征在于：

在所述步骤1)中，在所述基板上先沉积一层第二金属层，再在所述第二金属层上沉积所述金属氧化物层。

14.如权利要求13所述的制备方法，其特征在于：

所述第二金属层所采用的材料选自Mo、Al或Ti中的任意一种。

15.如权利要求13所述的制备方法，其特征在于：

所述器件为OLED或AMOLED，所述石墨烯层转移到所述OLED或AMOLED器件上作为导电层或者信号传输层；或者，

所述器件为柔性电路板，所述石墨烯层转移到所述柔性电路板上作为导电层。

16.如权利要求1至12中任意一项所述的制备方法，其特征在于：

所述器件为OLED或AMOLED，所述石墨烯层转移到所述OLED或AMOLED器件上作为导电层或者信号传输层；或者，

所述器件为柔性电路板，所述石墨烯层转移到所述柔性电路板上作为导电层。