[发明专利]零温度系数电阻组件及其制造方法

权利要求书

1.一种零温度系数电阻组件，包括：

半导体基板；

第一介电层，位于所述半导体基板上；

第一氮化钛层，经过一热处理具有负温度系数，位于所述第一介电层上；

第二介电层，位于所述第一氮化钛层上；

导电结构，内埋于所述第二介电层中；以及

第二氮化钛层，具有正温度系数，位于所述第二介电层上，其中所述第二氮化钛层与所述第一氮化钛层连接。

2.根据权利要求1所述的零温度系数电阻组件，其中，所述第一介电层的材料包括四乙氧基硅烷。

3.根据权利要求1所述的零温度系数电阻组件，其中，所述第二介电层的材料包括硼掺杂磷-硅玻璃。

4.一种零温度系数电阻组件的制造方法，包括：

提供半导体基板；

形成第一介电层在所述半导体基板上；

形成第一氮化钛层在所述第一介电层上；

形成第二介电层在所述第一氮化钛层上；

对所述第二介电层实施热处理，使第一氮化钛层具有负温度系数；

形成导电结构在所述第二介电层中；以及

形成第二氮化钛层在所述第二介电层上，其中所述第二氮化钛层与所述第一氮化钛层连接；并且，第二氮化钛层具有正温度系数。

5.根据权利要求4所述的零温度系数电阻组件的制造方法，其中，所述第一介电层的材料包括四乙氧基硅烷。

6.根据权利要求4所述的零温度系数电阻组件的制造方法，其中，所述第二介电层的材料包括硼掺杂磷-硅玻璃。

7.根据权利要求4所述的零温度系数电阻组件的制造方法，其中，所述热处理的温度范围为460-900℃。

8.一种零温度系数电阻组件的制造方法，包括：

提供半导体基板；

形成闸极结构在所述半导体基板上，所述闸极结构具有正温度系数；

形成电阻层在所述闸极结构上；所述电阻层的材料为经过热处理具有负温度系数的氮化钛；

形成介电层在所述电阻层上；以及

对所述介电层实施热处理。

9.根据权利要求8所述的零温度系数电阻组件的制造方法，其中，所述闸极结构包括多晶硅层和金属硅化物层，且所述电阻层和所述金属硅化物层连接。

10.根据权利要求8所述的零温度系数电阻组件的制造方法，其中，所述介电层的材料包括硼掺杂磷-硅玻璃、硼-硅玻璃、四乙氧基硅烷、旋涂式玻璃、常压化学气相沉积氧化物或前述材料的组合。

11.根据权利要求8所述的零温度系数电阻组件的制造方法，其中，所述热处理的温度范围为460-900℃。