[发明专利]一种高速电位转换电路

权利要求书

1.一种高速电位转换电路，其特征在于，包括电位转换器、与电位转换器相连接的信号放大反向器、以及与信号放大反向器相连接的正反馈连接反向器；其中，电位转换器将低电压转换为高电压之后输出给信号放大反向器，信号放大反向器将所输入的高电压进行放大后将放大的信号输出给正反馈连接反向器，正反馈连接反向器对放大的信号的占空比进行优化。

2.根据权利要求1的高速电位转换电路，其特征在于，电位转换器具有第一PMOS管、第二PMOS管、第三NMOS管、第四NMOS管、第一输出节点(A)、第二输出节点(B)、第一NMOS管、第二NMOS管；其中，

第一PMOS管和第二PMOS管的源极相连接且接高压电源；

第一PMOS管的漏极与第三NMOS管的漏极共同连接至第一输出节点(A)；第三NMOS管的源极与第一NMOS管的漏极连接于节点(X)，第三NMOS管的栅极接高压电源；

第二PMOS管的漏极与第四NMOS管的漏极共同连接至第二输出节点(B)；第四NMOS管的源极与第二NMOS管的漏极连接于节点(Y)，第四NMOS关的栅极接高压电源；

第一PMOS管的栅极接于节点(Y)，第二PMOS管的栅极接于节点(X)；

第一NMOS管的源极与第二NMOS管的源极相连接；第一NMOS管的栅极接第一输入端(INP)，第二NMOS管的栅极接第二输入端(INN)。

3.根据权利要求2所述的高速电位转换电路，其特征在于，所述电位转换器还包括第五NMOS管和第六NMOS管；第五NMOS管的栅极与第一NMOS管的栅极相连接，第六NMOS管的栅极与第二NMOS管的栅极相连接；第五NMOS管的漏极连接于第一输出节点(A)，第六NMOS管的漏极连接于第二输出节点(B)，第五NMOS管的源极、第六NMOS管的源极、第一NMOS管的源极、第二NMOS管的源极之间相互连接。

4.根据权利要求3所述的高速电位转换电路，其特征在于，所述第五NMOS管和所述第六NMOS管的尺寸为4μm/0.4μm。

5.根据权利要求2所述的高速电位转换电路，其特征在于，所述信号放大反向器包括第一反馈端(OUTP)、第二反馈端(OUTN)、第三PMOS管、第四PMOS管、第七NMOS管和第八NMOS管；其中，

所述第三PMOS管的栅极与第七NMOS管的栅极共同连接于第一输出节点(A)，第三PMOS管的漏极和第七NMOS管的漏极相连接且共同接于第一反馈端(OUTP)；

所述第四PMOS关的栅极与第八NMOS管的栅极共同连接于第二输出节点(B)，第四PMOS管的漏极和第八NMOS管的漏极相连接且共同接于第二反馈端(OUTN)；

第七NMOS管的源极与第五NMOS管的源极相连接，第八NMOS管的源极与第六NMOS管的源极相连接；

第三PMOS管的源极与第一PMOS管的源极相连接至高压电源；第四PMOS管的源极与第二PMOS管的源极相连接至高压电源。

6.根据权利要求5所述的高速电位转换电路，其特征在于，所述正反馈连接反向器包括第五PMOS管、第六PMOS管、第九NMOS管和第十NMOS管；其中，第五PMOS管的源极和第六PMOS管的源极均接于高压电源；所述第五PMOS管的栅极和第九NMOS管的栅极相连接且接于第一反馈端(OUTP)，第五PMOS管的漏极和第九NMOS管的漏极相连接且接于第二反馈端(OUTN)；所述第六PMOS管的栅极和第十NMOS管的栅极相连接且接于第二反馈端(OUTN)，所述第六PMOS管的漏极与第十NMOS管的漏极相连接且接于第一反馈端(OUTP)；所述第九NMOS管的源极和所述第十NMOS管的源极均接地。

7.根据权利要求2所述的高速电位转换电路，其特征在于，所述第一NMOS管和第二NMOS管的尺寸为20μm/0.4μm，所述第三NMOS管和所述第四NMOS管的尺寸为8μm/0.4μm。

8.根据权利要求2所述的高速电位转换电路，其特征在于，所述高压电源为直流高压电源。

9.根据权利要求2所述的高速电位转换电路，其特征在于，所述第一输入端(INP)和所述第二输入端(INN)所输入的信号为极性相反的信号。

10.根据权利要求9所述的高速电位转换电路，其特征在于，所述第一输入端(INP)和所述第二输入端(INN)所输入的信号均为低电平域。