[发明专利]含集成谐波滤波器的射频电路和含晶体管的射频电路

权利要求书

1.一种集成电路，包括：

管芯，其上嵌入了有源射频(RF)部件；

第一端口，其用于接收来自所述有源RF部件的输出信号；

谐波滤波器，其包括第一谐波滤波器电感器；以及

第一RF电感负载，其电耦合到所述第一端口并磁耦合到所述第一谐波滤波器电感器。

2.根据权利要求1所述的集成电路，其中所述有源RF部件是功率放大器。

3.根据权利要求1所述的集成电路，其中所述有源RF部件是低噪声放大器。

4.根据权利要求1所述的集成电路，其中所述有源RF部件是电压控制的振荡器。

5.根据权利要求1所述的集成电路，其中所述有源RF部件是RF混频器。

6.一种射频(RF)电路，包括：

第一端口，其用于接收来自有源RF部件的输出信号；

第一谐波滤波器电感器；以及

第一RF电感负载，其电耦合到所述第一端口并磁耦合到所述第一谐波滤波器电感器。

7.根据权利要求6所述的RF电路，还包括电耦合到所述第一谐波滤波器电感器的第一谐波滤波器电容器。

8.根据权利要求6所述的RF电路，包括输出端口和输出电感器，所述输出电感器电耦合到所述输出端口且磁耦合到所述第一RF电感负载。

9.根据权利要求8所述的RF电路，其中所述第一谐波滤波器电感器至少部分地被所述第一RF电感负载和被输出电感器围绕。

10.根据权利要求6所述的RF电路，其中所述第一谐波滤波器电感器至少部分地被所述第一RF电感负载围绕。

11.根据权利要求6所述的RF电路，其中所述第一谐波滤波器电感器完全地被所述第一RF电感负载围绕。

12.根据权利要求6所述的RF电路，其中所述第一端口和所述第一谐波滤波器电感器之间的距离不超过0.5厘米。

13.根据权利要求6所述的RF电路，其中所述第一端口直接连接到所述有源RF部件和连接到所述第一RF电感负载。

14.一种射频(RF)功率放大器，包括：一个或多个输入节点，其用于接收一个或多个RF输入信号；一个或多个输出节点，其用于驱动负载；一个或多个子放大器，其操作地耦合到所述输入节点，每个子放大器操作来放大其相应的RF输入信号以生成子放大器输出信号；以及包括操作来放大具有第一振幅的RF输入信号的高放大器部件和操作来放大具有第二振幅的RF输入信号的低放大器部件的每个子放大器；其中所述第一振幅超过所述第二振幅；其中所述高放大器部件包括第一晶体管，所述第一晶体管具有第一阈值电压；其中所述第二放大器部件包括第二晶体管，所述第二晶体管具有第二阈值电压；其中所述第一阈值电压超过所述第二阈值电压。

15.根据权利要求14所述的RF功率放大器，其中对于每个子放大器，所述第一晶体管和所述第二晶体管直接耦合到所述一个或多个输入节点中的单个输入节点。

16.根据权利要求14所述的RF功率放大器，其中对于每个子放大器，所述第一晶体管和所述第二晶体管经由不包括直流(DC)阻断电容器的导电通路被连接到所述一个或多个输入节点中的单个输入节点。

17.根据权利要求14所述的RF功率放大器，其中对于每个子放大器，所述第一晶体管和所述第二晶体管直接耦合到所述一个或多个输入节点中的单个输入节点且被单一偏置信号偏置。

18.根据权利要求14所述的RF功率放大器，其中对于每个子放大器，所述第一晶体管和所述第二晶体管直接耦合到所述一个或多个输入节点中的单个输入节点且被单一偏置电路偏置。

19.根据权利要求14所述的RF功率放大器，其中所述第一晶体管是C类非线性放大器。

20.根据权利要求14所述的RF功率放大器，其中所述第一晶体管是AB类线性放大器。

21.根据权利要求14所述的RF功率放大器，其中所述第一晶体管是A类线性放大器。

22.根据权利要求14所述的RF功率放大器，其中所述第一阈值电压超过所述第二阈值电压的量大于0.13伏特。