[发明专利]半导体封装及其制造方法在审

专利信息
申请号: 201610834235.X 申请日: 2016-09-20
公开(公告)号: CN106941098A 公开(公告)日: 2017-07-11
发明(设计)人: 蔡宪聪;王学德;张晋强 申请(专利权)人: 联发科技股份有限公司
主分类号: H01L23/31 分类号: H01L23/31;H01L23/29;H01L21/56
代理公司: 深圳市威世博知识产权代理事务所(普通合伙)44280 代理人: 何青瓦
地址: 中国台湾新竹市*** 国省代码: 台湾;71
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摘要:
搜索关键词: 半导体 封装 及其 制造 方法
【说明书】:

技术领域

发明涉及半导体封装技术领域,尤其涉及一种半导体封装及其制造方法,其中该半导体封装例如为半导体集成电路(Integrated Circuit,IC)封装,并且该半导体封装包括:具有涂层的接合线(coated bonding wire)。

背景技术

于集成电路封装产业中,持续地期望为具有越来越多的I/O端子垫的半导体晶粒,提供密度越来越高的IC封装。当使用已知的打线(bonding)接合封装技术时,对于给定尺寸的晶粒,随着其I/O(input/output,输入/输出)端子垫的数量的增加,相邻的接合线之间的间距或者空间变得越来越小。

在塑料IC封装的模塑(molding)或者封装(encapsulation)期间,塑性模塑料熔化进入模腔,该塑性模塑料的流动对接合线施加足够高的力,使得接合线移动或者变形。移动或变形容易引起相邻的接合线彼此接触,从而导致相邻线之间的短路。

尽管已建议了各种各样的方案来减少IC封装的封装工艺期间的接合线移动,但是,这些方案中的许多要求额外的工艺步骤或者要求特定设备。这些关于额外的工艺步骤或者特定设备的要求增加了封装的生产成本,因此不受欢迎。

发明内容

有鉴于此,本发明实施例提供了一种半导体封装及其制造方法,可以解决封装工艺期间相邻接合线之间的短路问题。

本发明实施例提供了一种半导体封装,包括:载体基底,具有表面;半导体晶粒,设置于该表面上;多条接合线,将该半导体晶粒连接至该载体基底;绝缘材料,覆盖在该多条接合线上;以及模塑料,覆盖该表面并且封装该半导体晶粒、该多条接合线以及该绝缘材料。

其中,该绝缘材料覆盖每条接合线的一部分。

其中,该绝缘材料还覆盖该载体基底的该表面。

其中,该模塑料与该绝缘材料均包含环氧树脂,并且,该绝缘材料不含有或含有低于预定含量的填充材料。

其中,该绝缘材料含有浓度小于50ppm的卤素。

本发明实施例提供了一种半导体封装的制造方法,包括:提供具有表面的载体基底;将半导体晶粒安装于该表面上;形成多条接合线,以将该半导体晶粒连接至该载体基底;在该多条接合线上涂覆绝缘材料;以及形成覆盖该表面并且封装该半导体晶粒、该多条接合线以及该绝缘材料的模塑料。

其中,在该多条接合线涂覆该绝缘材料之后,该方法进一步包括:执行固化工艺,以固化该绝缘材料。

其中,执行该固化工艺包括:于炉内或者光化辐射条件下执行该固化工艺。

其中,在该多条接合线上涂覆该绝缘材料包括:使用喷射式喷雾器来将该绝缘材料涂覆在该多条接合线上;或者,使用浸渍工艺来将该绝缘材料涂覆在该多条接合线上。

其中,该绝缘材料仅覆盖每条接合线的一部分;及/或,该绝缘材料还涂覆该载体基底的该表面。

其中,该模塑料与该绝缘材料均包含环氧树脂,并且该绝缘材料不含有或含有低于预定含量的填充材料。

其中,该绝缘材料含有浓度小于50ppm的卤素。

其中,在涂覆该绝缘材料之前,预先加热该绝缘材料,或者预先加热用于将该绝缘材料喷酒在该多条接合线上的喷雾器的喷嘴。

本发明实施例的有益效果是:

以上的半导体封装,将绝缘材料覆盖在接合线上,因此可以解决封装工艺期间相邻的接合线之间的短路问题。

附图说明

包含附图以提供对本发明的进一步的理解,并且该多个附图纳入进并构成说明书的一部分。附图连同下述描述说明了本发明的实施例并且用来解释本发明的原理。在附图中:

图1为根据本发明实施例的半导体封装的横截面示意图,该半导体封装包括:具有涂层的接合线;

图2为图1中没有模塑料时的两相邻的接合线的透视图;

图3为两相邻的接合线及涂覆的绝缘材料的横截面示意图;

图4至图7为根据本发明实施例的横截面示意图,示出了半导体封装的制造方法,其中该半导体封装包括:具有涂层的接合线;

图8是根据本发明实施例的半导体封装的俯视图,示出了位于半导体晶粒附近的区域,其中,将绝缘材料喷射在该区域中;以及

图9是根据本发明另一实施例的横截面示意图,示出了用于将绝缘材料涂覆至接合线上的浸渍工艺。

具体实施方式

在本发明实施例的以下详细描述中,参考了附图,其构成本发明的一部分,并且于附图中,示出本发明可实践的特定优选实施例。

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