[发明专利]影像感测装置有效
申请号: | 201610834254.2 | 申请日: | 2016-09-20 |
公开(公告)号: | CN107464821B | 公开(公告)日: | 2019-10-25 |
发明(设计)人: | 林国峰;萧玉焜;谢锦全 | 申请(专利权)人: | 采钰科技股份有限公司 |
主分类号: | H01L27/146 | 分类号: | H01L27/146 |
代理公司: | 隆天知识产权代理有限公司 72003 | 代理人: | 冯志云;王芝艳 |
地址: | 中国台*** | 国省代码: | 中国台湾;71 |
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摘要: | |||
搜索关键词: | 影像 装置 | ||
一种影像感测装置,包括:一半导体基板;一被动层;以及一集光元件。该半导体基板包括一感光元件,而该被动层设置于该半导体基板上。该集光元件设置于该被动层上,且包括一第一回圈、一第二回圈、与一第三回圈。该第一回圈具有一第一宽度。该第二回圈环绕该第一回圈,且具有少于该第一宽度的一第二宽度。该第三回圈环绕该第一回圈与该第二回圈,且具有少于该第一宽度与该第二宽度的一第三宽度。该集光元件对准该感光元件,且该第一回圈、该第二回圈与该第三回圈包括不同的折射率。
技术领域
本发明涉及影像感测装置(image sensing devices),且特别涉及具有较佳量子效率(quantum efficiency)的一种影像感测装置。
背景技术
影像感测装置为当今如数位相机、行动电话以及玩具等众多光电装置内的必要构件之一。传统影像感测装置则包括电耦合装置(charge coupled device,CCD)影像感测装置与互补型金属氧化物半导体(complementary metal oxide oxide,CMOS)影像感测装置。
影像感测装置通常包括了平面阵列化的多个像素胞(pixel cells),其中各像素胞包括了一光电管(photogate)、一光导体(photoconductor)或具有用于累积光电电荷用的掺杂区的一感光二极体(photodiode)。于此平面阵列化的像素胞上则叠设有由如红(R)、绿(G)或蓝(B)的不同色彩的染料所构成的周期性图样(periodic pattern)。上述的周期性图样即为公知的彩色滤光阵列(color filter array)。于彩色滤光阵列上则选择性地叠设有多个方形或圆形的微透镜(microlens)以聚焦入射光于各像素胞内的电荷累积区处。通过微透镜的使用可显著地改善了影像感测器的感测度。
然而,由于穿透微透镜的入射光并无法聚焦于此些像素胞之一的深部区域(deepregion),如此多少限制了影像感测装置内像素胞的量子效率(quantum efficiency)而无法通过微透镜的使用而提升之。如此,恐限制了像素胞的量子效率及像素胞的感测度。
发明内容
如此,便需要一种影像感测装置,以改善影像感测装置的量子效率与感测度。
依据一实施例,本发明提供了一种影像感测装置,包括:一半导体基板;一被动层;以及一集光元件。该半导体基板包括一感光元件,而该被动层设置于该半导体基板上。该集光元件设置于该被动层上,且包括一第一回圈、一第二回圈、与一第三回圈。该第一回圈具有一第一宽度。该第二回圈环绕该第一回圈,且具有少于该第一宽度的一第二宽度。该第三回圈环绕该第一回圈与该第二回圈,且具有少于该第一宽度与该第二宽度的一第三宽度。该集光元件对准该感光元件,且该第一回圈、该第二回圈与该第三回圈包括不同的折射率。
附图说明
图1为一剖面示意图,显示依据本发明的一实施例的一影像感测装置;
图2显示了图1的影像感测装置的模拟电场影像;
图3为一上视示意图,显示了图1内的影像感测装置;
图4为一剖面示意图,显示依据本发明的另一实施例的一影像感测装置;
图5为一上视示意图,显示了图4内的影像感测装置;
图6为一剖面示意图,显示依据本发明的又一实施例的一影像感测装置;
图7显示了图6的影像感测装置的模拟电场影像;
图8为一上视示意图,显示了图6内的影像感测装置;
图9为一剖面示意图,显示依据本发明的另一实施例的一影像感测装置;
图10为一上视示意图,显示了图9内的影像感测装置;
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H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L27-00 由在一个共用衬底内或其上形成的多个半导体或其他固态组件组成的器件
H01L27-01 .只包括有在一公共绝缘衬底上形成的无源薄膜或厚膜元件的器件
H01L27-02 .包括有专门适用于整流、振荡、放大或切换的半导体组件并且至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的;包括至少有一个跃变势垒或者表面势垒的无源集成电路单元的
H01L27-14 . 包括有对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射或者微粒子辐射并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的,或适用于通过这样的辐射控制电能的半导体组件的
H01L27-15 .包括专门适用于光发射并且包括至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的半导体组件
H01L27-16 .包括含有或不含有不同材料结点的热电元件的;包括有热磁组件的