[发明专利]蚀刻剂组合物，铜基金属层的蚀刻方法，阵列基板制作方法及该方法制作的阵列基板

权利要求书

1.用于金属层的蚀刻剂组合物，包括：

相对于所述蚀刻剂组合物的总重量，

(a)10重量％至50重量％的磷酸；

(b)3重量％至8重量％的硝酸；

(c)10重量％至60重量％的醋酸；

(d)0.01重量％至2.0重量％的含氟化合物；

(e)0.01重量％至10.0重量％的硫酸类化合物；和

(f)余量的水，

其中，所述(e)硫酸类化合物是以下化合物中的一种或多种：

<化学式1>

2-萘磺酸

<化学式2>

氨基磺酸

<化学式3>

磺胺酸

<化学式4>

3-氨基苯磺酸

<化学式5>

4-羟基苯磺酸。

2.根据权利要求1所述的用于金属层的蚀刻剂组合物，其中，所述(d)含氟化合物是氟化铵、氟化钠、氟化钾、氟氢化铵、氟氢化钠和氟氢化钾中的一种或多种。

3.根据权利要求1所述的用于金属层的蚀刻剂组合物，其中所述金属层是包括铜或铜合金的单层的铜基金属层；或包括选自由铜钛层和铜钛合金层所组成的组中的一层或多个层的多层。

4.根据权利要求1所述的用于金属层的蚀刻剂组合物，其中所述金属层是具有厚度为或以上的铜基金属层。

5.一种用于蚀刻铜基金属层的方法，包括：

I)在基板上形成铜基金属层；

II)在所述铜基金属层上选择性地留下光反应性材料；和

III)使用根据权利要求1至4中的任一项所述的用于金属层的蚀刻剂组合物蚀刻所述铜基金属层。

6.一种用于制作用于液晶显示装置的阵列基板的方法，包括：

a)在基板上形成栅极；

b)在包括所述栅极的基板上形成栅极绝缘层；

c)在所述栅极绝缘层上形成半导体层；

d)在所述半导体层上形成源极/漏极；和

e)形成与所述漏极连接的像素电极；

其中所述步骤a)包括在基板上形成铜基金属层并通过使用根据权利要求1至4的任一项所述的用于金属层的蚀刻剂组合物蚀刻所述铜基金属层而形成栅极线；且

所述步骤d)包括在半导体层上形成铜基金属层并通过使用所述用于金属层的蚀刻剂组合物蚀刻所述铜基金属层而形成源极和漏极。

7.根据权利要求6所述的用于制作用于液晶显示装置的阵列基板的方法，其中所述用于液晶显示装置的阵列基板是薄膜晶体管阵列基板。

8.用于液晶显示装置的阵列基板，其使用权利要求6所述的制作方法制作。