[发明专利]半导体封装构造及其制造方法

说明书

本发明公开一种半导体封装构造及其制造方法，所述制造方法包含：提供一基板条，所述基板条包含多个基板单元；设置多个芯片于所述多个基板单元上；设置一封装胶体于所述基板条上以包覆所述芯片；形成一抗翘曲层于所述封装胶体的一顶面上；以及切割所述基板条以分离所述多个基板单元，进而制成多个半导体封装构造，其中所述抗翘曲层与所述基板单元彼此绝缘，所以抗翘曲层由一预定材料以一预定厚度形成而导致在25℃到260℃之间的温度下所述半导体封装构造的翘曲改变量少于210微米。

本申请是申请日为2013年5月3日，申请号为“201310161037.8”，而发明名称为“半导体组件及其制造方法”的申请的分案申请。

技术领域

本发明涉及一种半导体封装构造，特别是有关于一种制作不易翘曲的半导体封装构造及其制造方法。

背景技术

现今，半导体封装产业发展出各种不同型式的封装构造，以满足各种需求，一般的封装工艺主要是在基板上布设芯片，接着再用封装胶体将芯片包覆起来，完成封装体，同时在基板背面设有锡球，以供封装体后续焊接于电路板上。

一般而言，在常见的封装工艺中会使用一基板条来提供多个芯片设置区域，在芯片全数布设于基板条之后，再于基板条表面设置封装胶体来包覆芯片，接着再将基板条切割成数个单独的半导体封装构造。

半导体封装构造在制造过程中会经常处于高温环境下，然而由于基板与封装胶体之间的热膨胀系数差异(CTE mismatch)往往会导致基板与封装胶体具有不同的热膨胀程度而有应力作用拉扯，因而产生翘曲的现象，再加上目前的电子产品尺寸越趋轻薄短小，使得半导体封装构造的整体厚度也随着降低，相对导致半导体封装构造的翘曲现象变得更显着。

半导体封装构造的翘曲问题往往会导致许多问题，例如可能导致打线封装的半导体封装构造的内部导线结合不良；或可能导致使用倒装芯片技术的半导体封装构造的芯片下方的凸块或凸柱断裂；或者是在设置于电路板上时，所述半导体封装构造底部的锡球无法良好的结合于电路板上。

故，有必要提供一种半导体封装构造及其制造方法，以解决现有技术所存在的问题。

发明内容

有鉴于此，本发明提供一种半导体封装构造的制造方法，以改善现有半导体封装构造的翘曲问题。

本发明的主要目的在于提供一种半导体封装构造的制造方法，其利用形成于封装胶体上的抗翘曲层强化整体半导体封装构造的结构强度，以有效降低半导体封装构造受热翘曲的程度。

本发明的次要目的在于提供一种半导体封装构造，其具有一抗翘曲层，加强整体结构的抗翘曲能力。

为达成本发明的前述目的，本发明一实施例提供一种半导体封装构造的制造方法，其中所述制造方法包含：提供一基板条，所述基板条包含多个基板单元；设置多个芯片于所述多个基板单元上；设置一封装胶体于所述基板条上以包覆所述芯片；形成一抗翘曲层于所述封装胶体的一顶面上；以及切割所述基板条以分离所述多个基板单元，进而制成多个半导体封装构造，其中所述抗翘曲层与所述基板单元彼此绝缘，所以抗翘曲层由一预定材料以一预定厚度形成而导致在25℃到260℃之间的温度下所述半导体封装构造的翘曲改变量少于210微米。

本发明另一实施例提供一种半导体封装构造的制造方法，其中所述制造方法包含：提供一基板条，所述基板条包含多个基板单元，每一所述基板单元的面积介于302.76平方毫米到309.76平方毫米之间；设置多个芯片于所述多个基板单元上；设置一封装胶体于所述基板条上以包覆所述芯片；形成一抗翘曲层于所述封装胶体的一顶面上；以及切割所述基板条以分离所述多个基板单元，进而制成多个半导体封装构造，其中所述抗翘曲层与所述基板单元彼此绝缘，所以抗翘曲层由一预定材料以一预定厚度形成而导致在25℃到260℃之间的温度下所述半导体封装构造的翘曲改变量介于75微米到235微米之间。