[发明专利]一种MEMS器件及其制备方法和电子装置

权利要求书

1.一种MEMS器件的制备方法，其特征在于，所述方法包括：

提供第一晶圆，在所述第一晶圆上形成有目标厚度的热氧化物材料层；

图案化所述第一晶圆和所述热氧化物材料层，以在所述第一晶圆中形成空腔；

提供第二晶圆并将所述第二晶圆与所述热氧化物材料层相接合，以密闭所述空腔。

2.根据权利要求1所述的方法，其特征在于，所述热氧化物材料层的厚度小于1μm。

3.根据权利要求1所述的方法，其特征在于，所述第二晶圆包括绝缘体上硅晶圆。

4.根据权利要求3所述的方法，其特征在于，所述绝缘体上硅晶圆包括自上而下的体硅、氧化物埋层和顶层硅，所述顶层硅与所述热氧化物材料层相接合。

5.根据权利要求4所述的方法，其特征在于，所述方法还进一步包括将所述第二晶圆中的所述体硅打薄的步骤。

6.根据权利要求5所述的方法，其特征在于，将所述第二晶圆打薄至15-25um。

7.根据权利要求6所述的方法，其特征在于，所述方法还进一步包括蚀刻所述第二晶圆去除所述体硅和氧化物埋层的步骤。

8.根据权利要求7所述的方法，其特征在于，使用TMAH湿法蚀刻所述第二晶圆以去除所述体硅和氧化物埋层。

9.一种通过权利要求1至8之一所述方法制备得到的MEMS器件，其特征在于，所述MEMS器件包括：

第一晶圆；

热氧化物材料层，位于所述第一晶圆上；

第二晶圆，与所述热氧化物材料层相接合。

10.根据权利要求9所述的MEMS器件，其特征在于，所述热氧化物材料层的厚度小于1μm。

11.根据权利要求9所述的MEMS器件，其特征在于，所述第一晶圆和所述第二晶圆之间还形成有若干空腔。

12.一种电子装置，包括权利要求9至11之一所述的MEMS器件。