[发明专利]一种湿法腐蚀方法有效
| 申请号： | 201610841527.6 | 申请日： | 2016-09-22 |
| 公开（公告）号： | CN106654859B | 公开（公告）日： | 2019-07-02 |
| 发明（设计）人： | 周立;潘之炜;吴涛;李瑞彬;谭少阳 | 申请（专利权）人： | 苏州长光华芯光电技术有限公司 |
| 主分类号： | H01S5/22 | 分类号： | H01S5/22 |
| 代理公司： | 北京科亿知识产权代理事务所(普通合伙) 11350 | 代理人： | 汤东凤 |
| 地址： | 215163 江苏省苏*** | 国省代码： | 江苏;32 |
| 权利要求书： | 查看更多 | 说明书： | 查看更多 |
| 摘要： | |||
| 搜索关键词： | 一种 湿法 腐蚀 方法 | ||
本发明公开了一种应用于高Al组分AlGaAs‑GaAs脊台垂直侧壁形貌工艺的湿法腐蚀方法，其采用的腐蚀液配比为H3PO4:H2O2:H2O＝1:10:1，且用于GaAs/Al0.7Ga0.3As脊台材料腐蚀中；在室温环境下完成腐蚀。本发明选取H3PO4:H2O2腐蚀液，采用本发明的H2O2浓度，同样能够达到消除AlGaAs层凹陷的效果，而且这个浓度的H2O2不会带来腐蚀液粘稠导致的腐蚀深度均匀性不易控制的问题。
技术领域
本发明涉及一种湿法腐蚀方法，尤其涉及一种应用于高Al组分AlGaAs-GaAs脊台垂直侧壁形貌工艺的湿法腐蚀方法。
背景技术
理想半导体激光器的脊台形貌为90°，然而当半导体激光器采用GaAs作为P面欧姆接触曾，高Al组分AlGaAs材料作为电子阻挡层和波导层时，由于高Al组分AlGaAs在一般腐蚀液中的侧向腐蚀速率大于GaAs，容易在腐蚀后形成GaAs凸出、AlGaAs凹陷的屋檐状形貌。这样的屋檐状脊台形貌将影响SiO2钝化保护，易造成漏电短路等异常情况，如申请号为CN201310406295.8，申请日为2013-09-09，公告号为CN103531458A，公告日为2014-01-22的《一种利用两步法对GaAs基材料进行湿法刻蚀的方法》。
提高H3PO4:H2O2腐蚀液中的H3PO4浓度，可以减缓AlGaAs侧向凹陷情况，但是H3PO4浓度提高后，腐蚀液非常粘稠，不利于大尺寸waf的腐蚀深度均匀性控制。
发明内容
为了能够达到消除AlGaAs层凹陷的效果，同时解决腐蚀液粘稠导致的腐蚀深度均匀性不易控制的技术问题，本发明提供一种应用于高Al组分AlGaAs-GaAs脊台垂直侧壁形貌工艺的湿法腐蚀方法。
本发明的解决方案是：一种应用于高Al组分AlGaAs-GaAs脊台垂直侧壁形貌工艺的湿法腐蚀方法，其采用的腐蚀液配比为H3PO4:H2O2:H2O＝1:10:1，且用于GaAs/Al0.7Ga0.3As脊台材料腐蚀中；在室温环境下完成腐蚀。
作为上述方案的进一步改进，腐蚀速率为120～160nm/s。
本发明选取H3PO4:H2O2腐蚀液，采用本发明的H2O2浓度，同样能够达到消除AlGaAs层凹陷的效果，而且这个浓度的H2O2不会带来腐蚀液粘稠导致的腐蚀深度均匀性不易控制的问题。
附图说明
图1为采用常规腐蚀液腐蚀H2SO4:H2O2:H2O＝1:1:20时，腐蚀后的侧壁形貌示意图。
图2为采用本发明的应用于高Al组分AlGaAs-GaAs脊台垂直侧壁形貌工艺的湿法腐蚀方法腐蚀后的侧壁形貌示意图。
具体实施方式
该专利技术资料仅供研究查看技术是否侵权等信息，商用须获得专利权人授权。该专利全部权利属于苏州长光华芯光电技术有限公司，未经苏州长光华芯光电技术有限公司许可，擅自商用是侵权行为。如果您想购买此专利、获得商业授权和技术合作，请联系【客服】
本文链接：http://www.vipzhuanli.com/pat/books/201610841527.6/2.html，转载请声明来源钻瓜专利网。
