[发明专利]一种Al2O3掺杂ZnO/SiO2微波介质陶瓷的制备方法在审

专利信息
申请号: 201610841971.8 申请日: 2016-09-22
公开(公告)号: CN107867837A 公开(公告)日: 2018-04-03
发明(设计)人: 施海月 申请(专利权)人: 施海月
主分类号: C04B35/453 分类号: C04B35/453;C04B35/622
代理公司: 常州市维益专利事务所(普通合伙)32211 代理人: 陆华君
地址: 215624 江苏省苏州市张家港市*** 国省代码: 江苏;32
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摘要:
搜索关键词: 一种 al2o3 掺杂 zno sio2 微波 介质 陶瓷 制备 方法
【说明书】:

技术领域

本申请属于通讯技术领域,特别是涉及一种Al2O3掺杂ZnO/SiO2微波介质陶瓷的制备方法。

背景技术

近年来,为了适应电子元器件高频化发展需求,低介高频的陶瓷材料越来越成为研究的热点。ZnO/SiO2低介电常数陶瓷系统是一种新型的微波介质陶瓷体系,该陶瓷体系具有较小的介电常数和优异的微波性能,但是烧结温度较高。

发明内容

本发明的目的在于提供一种Al2O3掺杂ZnO/SiO2微波介质陶瓷的制备方法,以克服现有技术中的不足。

为实现上述目的,本发明提供如下技术方案:

本申请实施例公开一种Al2O3掺杂ZnO/SiO2微波介质陶瓷的制备方法,包括:

(1)、制备ZnO/SiO2基料;

(2)、加入0.7~1.5wt%的Al2O3

(3)、球磨;

(4)、烘干、过筛;

(5)造粒:在陶瓷粉料中加入8wt%的聚乙烯醇,充分研磨后再过筛;

(6)、干压成型:将造粒好的陶瓷粉料在180MPa的压力下压制成圆柱形陶瓷生坯或圆片;

(7)、烧结:在500℃排胶1小时,然后按照3~5℃/min速率升至1280~1350℃保温2小时;

(8)、冷却至室温:首先以1℃/min的速率降到1000℃,再以100℃/小时的速率降到800℃,然后自然冷却至常温。

优选的,在上述的Al2O3掺杂ZnO/SiO2微波介质陶瓷的制备方法中,制备ZnO/SiO2基料的制备方法包括:

(1)、ZnO和SiO2按照摩尔比5:3计量;

(2)、球磨:将按配方称好的原始粉料放入尼龙球磨罐中,以无水乙醇作为球磨介质,氧化锆为磨球,利用变频式行星球磨机球磨,球磨转速365rpm,按照原料:磨球:无水乙醇=1:3:2比例球磨10~15小时;

(3)、烘干、过筛:将球磨后浆料在干燥箱中进行干燥,干燥温度80℃,干燥时间20min,干燥完成后采用100目的筛子过筛;

(4)、预烧:在氧化铝坩埚中于1100℃预烧4小时。

优选的,在上述的Al2O3掺杂ZnO/SiO2微波介质陶瓷的制备方法中,所述步骤(3)中,球磨方法包括:将料放入尼龙球磨罐中,以无水乙醇作为球磨介质,氧化锆为磨球,利用变频式行星球磨机球磨,球磨转速365rpm,按照原料:磨球:无水乙醇=1:3:2比例球磨10~15小时。

优选的,在上述的Al2O3掺杂ZnO/SiO2微波介质陶瓷的制备方法中,所述步骤(4)中,烘干、过筛方法包括:将球磨后浆料在干燥箱中进行干燥,干燥温度100℃,干燥时间20min,干燥完成后采用40目的筛子过筛,获得陶瓷粉料。

与现有技术相比,本发明的优点在于:本发明通过少量Al2O3的添加能够有效改善ZnO/SiO2微波介质陶瓷的烧结特性。所获得陶瓷材料的性能参数如下:介电常数=6.32,品质因数=41400GHz,温度系数=-45.2ppm/℃。

具体实施方式

本发明通过下列实施例作进一步说明:根据下述实施例,可以更好地理解本发明。然而,本领域的技术人员容易理解,实施例所描述的具体的物料比、工艺条件及其结果仅用于说明本发明,而不应当也不会限制权利要求书中所详细描述的本发明。

本实施例中,Al2O3掺杂ZnO/SiO2微波介质陶瓷的制备方法,包括:

(1)、制备ZnO/SiO2基料;

(2)、加入1.5wt%的Al2O3

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