[发明专利]制造多结光伏装置的方法和光伏装置

权利要求书

1.一种制造多结光伏装置的方法，包括：

由多个太阳能电池提供硅基太阳能电池，每个该太阳能电池来自不同的制造工艺，该硅基太阳能电池具有硅基板、包括该基板中的埋入发射极的第一有源单元以及待提供且兼容于硅基模块工艺的接触图案，该硅基太阳能电池是具功能性的、兼容于硅基模块工艺并且免于任何覆盖接触金属化，该硅基太阳能电池以晶片形式提供；

将该硅基太阳能电池传送至用于第二有源区域的另一工艺操作工序；

形成隧道结，且该隧道结的至少一部分形成在该第一有源单元中；

形成提供在该隧道结上的第二有源单元，该隧道结包括第一半导体层和第二半导体层，该第一半导体层和该第二半导体层之一至少包括铝或镓；

采用与硅基太阳能模块工艺兼容的多结接触图案形成覆盖该第二有源区域的接触层；

将多结光伏装置提供至该硅基太阳能模块工艺，并且在该硅基太阳能模块工艺中采用该多结光伏装置；以及

输出包括采用该接触图案的该多结光伏装置的模块。

2.如权利要求1所述的方法，其中该第一半导体层包括GaP；其中该第二半导体层包括AlP；其中该隧道结的带隙大于2.2eV；其中该多结光伏装置是晶片形式。

3.如权利要求1所述的方法，其中该第一半导体层是碳掺杂的，并且该第二半导体层是碲掺杂的；或者其中该第一半导体层是碲掺杂的，并且该第二半导体层是碳掺杂的。

4.如权利要求1所述的方法，其中该第一半导体层的成分由Al_XGa_(1-X)P表示，并且该第二半导体层的成分由Al_YGa_(1-Y)P表示；其中该第一半导体层掺杂有第一掺杂物，该第一掺杂物选自包括C、Zn和Mg或其任意组合的掺杂物组；其中该第二半导体层掺杂有第二掺杂物，该第二掺杂物选自包括Te、Si和Se或其任意组合的掺杂物组。

5.如权利要求1所述的方法，其中该第一半导体层和第二半导体层之一的成分是Ga(In)AsNAlP；或者其中该第一半导体层和第二半导体层中的每一个的成分是Ga(In)AsNAlP。

6.如权利要求1所述的方法，其中该第一半导体层掺杂有第一掺杂物，该第一掺杂物选自包括C、Zn和Mg或其任意组合的掺杂物组；其中该第二半导体层掺杂有第二掺杂物，该第二掺杂物选自包括Te、Si和Se或其任意组合的掺杂物组；并且其中该隧道结的带隙大于1.8eV。

7.如权利要求1所述的方法，其中该隧道结包括第三半导体层，该第三半导体层提供在该第一半导体层和第二半导体层之间，从而该第一半导体层和第二半导体邻近于该第三半导体层；其中该第三半导体层是δ掺杂层；其中该δ掺杂层包括n型掺杂物。

8.一种多结光伏装置，包括：

第一有源单元，包括埋入发射极和基极，该基极具有第一半导体层，该第一半导体层包括硅；以及

第二有源单元，提供在该第一有源单元上，该第二有源单元包括具有第二半导体层的基极，该第二半导体层包括选自包括B、Al、Ga和In的第一组的一个或多个半导体元素以及选自包括As、N、P和Sb的第二组的一个或多个半导体元素的成分，其中该第二半导体层的成分选择为具有在1.5eV至1.9eV范围内的带隙；

因此N提供为使该第一半导体层与该第二半导体层晶格匹配、将该第二半导体层调谐至1.5eV至1.9eV范围内的特定带隙且公差为0.05eV。