[发明专利]一种通过烷基硫醇溶解硫族氧化物实现无膦制备硒或碲化物半导体量子点的方法

权利要求书

1.一种通过烷基硫醇溶解硫族氧化物实现无膦制备硒或碲化物半导体量子点的方法，其步骤如下：

(1)在氮气保护下，将二氧化硒加入到烷基硫醇中搅拌溶解，得到硒前驱体溶液，二氧化硒的浓度为0.1～1mol/L；

(2)在氮气保护下，将二氧化碲加入到烷基硫醇中，100～200℃加热搅拌，得到碲前驱体溶液，二氧化碲的浓度为0.1～1mol/L；

(3)在氮气保护下，将金属源加入到脂肪酸与十八烯的混合溶液中，金属源的浓度为0.1～0.5mol/L，60～80℃加热搅拌使金属源溶解；然后升温到90～200℃，将步骤(1)或步骤(2)制备的硒或碲前驱体加入，二氧化硒或二氧化碲和金属源的摩尔比为1：1～1：10，继续反应5～30分钟，得到硒或碲化物半导体量子点；

所述烷基硫醇是辛硫醇、十二烷基硫醇、十六烷基硫醇或十八烷基硫醇；所述脂肪酸是油酸、硬脂酸或十四酸。

2.如权利要求1所述的一种通过烷基硫醇溶解硫族氧化物实现无膦制备硒或碲化物半导体量子点的方法，其特征在于：得到CdSe、CdTe、PbTe、HgTe、Ag₂Te或Cu₂Te半导体量子点。

3.如权利要求1所述的一种通过烷基硫醇溶解硫族氧化物实现无膦制备硒或碲化物半导体量子点的方法，其特征在于：金属源是镉源、铅源、汞源、银源、铜源中的一种或几种。

4.如权利要求3所述的一种通过烷基硫醇溶解硫族氧化物实现无膦制备硒或碲化物半导体量子点的方法，其特征在于：镉源是Cd(Ac)₂·2H₂O、CdCl₂·2H₂O或CdO；铅源是Pb(Ac)₂·2H₂O、PbCl₂或PbO；汞源是Hg(Ac)₂·2H₂O、HgCl₂或HgO；银源是Ag(Ac)、AgNO₃或Ag(acac)；铜源是Cu(Ac)₂、CuCl₂或Cu₂O。