[发明专利]动态随机存取存储器元件

权利要求书

1.一种随机动态处理存储器元件，其特征在于包含：

多个字符线，设置在一基底的一第一沟槽内并沿着一第一方向延伸，各该字符线包含阻障层，其中该阻障层具有复合层结构，该复合层结构包含TiSi_xN_y，x和y皆为大于零的常数，在该复合层结构的底部，x大于y；而在该复合层结构的顶部，x小于y；以及

多个位线，设置在该些字符线上且沿着一第二方向延伸，该第二方向横跨该第一方向。

2.依据权利要求1所述的随机动态处理存储器元件，其特征在于，该复合层结构的该底部中，x:y的比例为10:0.1至20:0.1。

3.依据权利要求1所述的随机动态处理存储器元件，其特征在于，该复合层结构的该顶部中，x:y的比例为0.1:10至0.1:20。

4.依据权利要求1所述的随机动态处理存储器元件，其特征在于，x在该复合层结构的该底部为20并逐渐地往该顶部递减至为0.1，y在该复合层结构的该底部为0.1，并逐渐地往该顶部递增至为20。

5.依据权利要求1所述的随机动态处理存储器元件，其特征在于，还包含:

至少一存储节点，设置在该字符线两侧的该基底上。

6.依据权利要求5所述的随机动态处理存储器元件，其特征在于，该存储节点包含另一阻障层，该另一阻障层具有另一复合层结构，该另一复合层结构包含TiSi_aN_b，该另一复合层结构的底部的硅含量较高且该另一复合层结构的顶部的氮含量较高。

7.依据权利要求6所述的随机动态处理存储器元件，其特征在于，在该另一复合层结构的该底部中，a:b的比例为10:0.1至20:0.1，在该另一复合层结构的顶部中，a:b的比例为0.1:10至0.1:20。

8.一种随机动态处理存储器元件，其特征在于包含：

多个字符线，设置在一基底的一第一沟槽内并沿着一第一方向延伸，各该字符线包含阻障层，其中该阻障层具有复合层结构，该复合层结构包含TiSi_xN_y，该复合层结构的底部的硅含量较高且该复合层结构的顶部的氮含量较高，该TiSi_xN_y包含连续且交替堆叠的多个氮化硅层及多个氮化钛层，该些氮化硅层及该些氮化钛层在该顶部与该底部具有不同的堆叠层数比例；以及

多个位线，设置在该些字符线上且沿着一第二方向延伸，该第二方向横跨该第一方向。

9.依据权利要求8所述的随机动态处理存储器元件，其特征在于，在该复合层结构的该底部中，该氮化钛层与该氮化硅层的数量比例为2:1至4:3。

10.依据权利要求8所述的随机动态处理存储器元件，其特征在于，在该复合层结构的该顶部中，该氮化硅层与该氮化钛层的数量比例为1:5至1:10。

11.依据权利要求8所述的随机动态处理存储器元件，其特征在于各该字符线包含导电层，位于该阻障层之上。

12.依据权利要求8所述的随机动态处理存储器元件，其特征在于，各该位线包含另一导电层以及多晶硅层。

13.依据权利要求12所述的随机动态处理存储器元件，其特征在于还包含:

至少一接触插塞，设置在该字符线与该位线之间。

14.依据权利要求13所述的随机动态处理存储器元件，其特征在于，该接触插塞与该多晶硅层一体成型。