[发明专利]具有功率节省的混合电压非易失性存储器集成电路有效
| 申请号： | 201610844224.X | 申请日： | 2012-10-11 |
| 公开（公告）号： | CN107093441B | 公开（公告）日： | 2021-02-09 |
| 发明（设计）人： | H.V.陈;A.李;T.武;H.Q.阮 | 申请（专利权）人： | 硅存储技术公司 |
| 主分类号： | G11C5/14 | 分类号： | G11C5/14;G11C16/08;G11C16/30 |
| 代理公司： | 中国专利代理(香港)有限公司 72001 | 代理人： | 申屠伟进;陈岚 |
| 地址： | 美国加利*** | 国省代码： | 暂无信息 |
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| 摘要： | |||
| 搜索关键词： | 具有 功率 节省 混合 电压 非易失性存储器 集成电路 | ||
【权利要求书】：
1.一种集成电路非易失性存储设备，包括：
非易失性存储单元阵列；
读出放大器，被连接到所述非易失性存储单元阵列；
具有第一电压的第一电压源，被连接到所述非易失性存储单元阵列以及所述读出放大器的第一部分；以及
具有低于第一电压的第二电压的第二电压源被连接到所述读出放大器的第二部分，其中，所述读出放大器的所述第二部分包括具有第二栅极氧化物的晶体管，其中，所述第二栅极氧化物厚度小于第一栅极氧化物厚度，其中，所述读出放大器的所述第一部分具有输出节点，并在输出节点处包括钳位输出电压以防止第二栅极氧化物的受压或毁坏。
2.权利要求1的设备，其中，所述读出放大器是差分读出放大器。
3.权利要求1的设备，其中，所述读出放大器是单端读出放大器。
4.权利要求1的设备，其中，所述读出放大器的所述第一部分包括具有第一栅极氧化物的晶体管。
5.权利要求4的设备，其中，所述读出放大器的所述第一部分包括漏极-栅极-隔离闭环源极跟随器晶体管。
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