[发明专利]发光元件、发光装置、电子设备及照明装置有效

专利信息
申请号: 201610846810.8 申请日: 2013-03-22
公开(公告)号: CN107425125B 公开(公告)日: 2019-09-03
发明(设计)人: 濑尾广美;下垣智子;濑尾哲史;牛洼孝洋;佐佐木俊毅;上坂正吾 申请(专利权)人: 株式会社半导体能源研究所
主分类号: H01L51/50 分类号: H01L51/50
代理公司: 中国专利代理(香港)有限公司 72001 代理人: 童春媛;杨思捷
地址: 日本神奈*** 国省代码: 日本;JP
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摘要:
搜索关键词: 发光 元件 装置 电子设备 照明
【权利要求书】:

1.一种发光装置,包括:

阳极上的第一电致发光层,所述第一电致发光层包括第一发光层,

所述第一电致发光层上的电荷产生层,

所述电荷产生层上的第二电致发光层,

所述第二电致发光层上的阴极;

其中所述电荷产生层经构造以将电子注入所述第一电致发光层,且将空穴注入所述第二电致发光层,

所述第二电致发光层包括第二发光层和所述第二发光层上的第三发光层,

所述第二发光层包括第一磷光化合物、具有电子传输性的第一有机化合物以及具有空穴传输性的第二有机化合物,

所述第三发光层包括第二磷光化合物以及所述第一有机化合物,

所述第一磷光化合物与所述第二磷光化合物不同,

并且,所述第一有机化合物和所述第二有机化合物的激基复合物的发射光谱与所述第一磷光化合物的吸收光谱重叠。

2.根据权利要求1所述的发光装置,其中与来自所述第三发光层的发光相比,来自所述第二发光层的发光具有较短波长。

3.根据权利要求1所述的发光装置,其中与所述第一磷光化合物的吸收光谱的峰值相比,所述激基复合物的发射光谱的峰值具有较长波长。

4.根据权利要求1所述的发光装置,其中与所述第一有机化合物及所述第二有机化合物各自的发射光谱的峰值相比,所述激基复合物的发射光谱的峰值具有较长波长。

5.根据权利要求1所述的发光装置,其中所述第一磷光化合物和所述第二磷光化合物中的至少其一为有机金属配合物。

6.根据权利要求1所述的发光装置,其中所述第一有机化合物为缺π电子型杂芳族化合物。

7.根据权利要求1所述的发光装置,其中所述第二有机化合物为芳族胺化合物或富π电子型杂芳族化合物。

8.根据权利要求1所述的发光装置,其中所述第一发光层的材料不同于所述第二发光层的材料和所述第三发光层的材料。

9.一种包括根据权利要求1所述的发光装置的电子设备。

10.一种包括根据权利要求1所述的发光装置的照明装置。

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