[发明专利]封装结构在审
申请号: | 201610847094.5 | 申请日: | 2016-09-23 |
公开(公告)号: | CN107871732A | 公开(公告)日: | 2018-04-03 |
发明(设计)人: | 任晓黎 | 申请(专利权)人: | 深圳市中兴微电子技术有限公司 |
主分类号: | H01L25/065 | 分类号: | H01L25/065;H01L23/64;H01L23/48 |
代理公司: | 北京派特恩知识产权代理有限公司11270 | 代理人: | 姚开丽,张振伟 |
地址: | 518055 广东省深*** | 国省代码: | 广东;44 |
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摘要: | |||
搜索关键词: | 封装 结构 | ||
1.一种封装结构,其特征在于,所述封装结构包括引线键合芯片、倒装焊芯片和封装基板:
所述倒装焊芯片位于所述引线键合芯片下方,所述封装基板位于所述倒装焊芯片下方;
所述引线键合芯片上设置至少一个第一引线键合焊盘,所述至少一个第一引线键合焊盘通过引线键合线与所述封装基板连接;所述引线键合芯片下依次设置第一绝缘介质层、第一金属结构层、第三绝缘介质层、第二金属结构层,所述第二金属结构层和所述第一金属结构层之间设置至少一个金属过孔,所述第二金属结构层下设置M个柱状的金属连接块;
所述倒装焊芯片上依次设置第四绝缘介质层、金属互连层、第五绝缘介质层,所述金属互连层由非连续的金属材料组成,所述第五绝缘介质层填充非连续的金属材料形成的空隙;所述第五绝缘介质层上设置N个第二引线键合焊盘;所述金属互连层上设置M+N个穿过所述第五绝缘介质层的垂直通孔,其中M个所述通孔的位置与M个所述金属连接块的位置相对应,所述M个金属连接块插入M个所述通孔中,所述N个第二引线键合焊盘通过N个所述通孔与所述金属互连层电性连接,所述N个第二引线键合焊盘通过引线键合线与所述封装基板连接;
所述倒装焊芯片下设置至少一个金属焊球,所述至少一个金属焊球为金属结构且与所述倒装焊芯片的内部电路结构和所述封装基板上表面的金属结构电性连接。
2.根据权利要求1所述的封装结构,其特征在于,所述第一金属结构层和所述第二金属结构层是平板结构,或是线圈结构;其中平板结构由一整块与所述引线键合芯片表面尺寸相同的金属板形成,或由多块在同一平面放置的金属板形成。
3.根据权利要求2所述的封装结构,其特征在于,当所述第一金属结构层是由多块在同一平面放置的金属板形成的平板结构时,或是线圈结构时,所述第一金属结构层的四周设置第二绝缘介质层,所述第二绝缘介质层下表面与所述第一金属结构层下表面平齐且不覆盖所述第一金属结构层的下表面。
4.根据权利要求1所述的封装结构,其特征在于,在所述引线键合芯片上集成至少一个有源芯片。
5.根据权利要求1所述的封装结构,其特征在于,所述第一引线键合焊盘为金属结构且与所述引线键合芯片内部的有源集成电路电性连接。
6.根据权利要求3所述的封装结构,其特征在于,所述第一绝缘介质层、所述第二绝缘介质层、所述第四绝缘介质层、和所述第五绝缘介质层的材料是有机聚合物不导电材料;第三绝缘介质层的材料为高介电常数材料或有机聚合物材料。
7.根据权利要求1所述的封装结构,其特征在于,所述第一金属结构层和第二金属结构层的材料为低电阻率导电材料或高电阻率材料;所述金属互连层的材料为导电金属;所述金属连接块的材料为导电金属或金属合金材料。
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