[发明专利]基于石墨烯/碳纳米管复合吸收层的人工神经突触晶体管

权利要求书

1.一种基于石墨烯碳纳米管复合吸收层的人工突触晶体管，其特征在于，该晶体管包括自下而上依次设置的衬底、栅极介质层、石墨烯/碳纳米管复合吸收层；

所述石墨烯/ 碳纳米管复合吸收层包括至少一层石墨烯层和至少一层碳纳米管层，

并且，至少一层石墨烯层与所述栅极介质层接触，所述石墨烯层的两端分别设有源极、漏极，且所述碳纳米管层不与所述源极、漏极接触。

2.如权利要求1所述的晶体管，其特征在于，所述衬底的材料为半导体材料。

3.如权利要求1所述的晶体管，其特征在于，所述石墨烯/碳纳米管复合吸收层中的碳纳米管包括单壁碳纳米管、双壁碳纳米管、多壁碳纳米管、金属性碳纳米管、半导体性碳纳米管中的一种或几种的组合，其中，碳纳米管层厚度为1-10nm。

4.如权利要求1所述的晶体管，其特征在于，所述石墨烯/碳纳米管复合吸收层中的石墨烯为单层石墨烯、双层石墨烯或少层石墨烯。

5.如权利要求1所述的晶体管，其特征在于，所述源极与漏极均包括两层材质不同的导电金属层，其中一层导电金属层与石墨烯层接触，所述的与石墨烯层相接触的源极与漏极的导电金属层其材质不同，所述源极和漏极的总厚度为20-50nm，一层导电金属层的厚度至少为3nm。

6.如权利要求5所述的晶体管，其特征在于，导电金属层的材质为钛、钯、铬、和镍中的任意一种。

7.一种智能光学神经元系统，其特征在于，将权利要求1-5任一所述的晶体管构建成阵列，将所述阵列作为所述智能光学神经元系统的子单元。

8.如权利要求7所述的智能光学神经元系统，其特征在于，衬底下表面、源极和漏极的上表面分别设置有引出电极，所述引出电极通过电流测量器相互连接。

9.如权利要求1-5任一所述的晶体管在光信息存储设备中的应用。

10.如权利要求1-5任一所述的晶体管在在图像识别中的应用。