[发明专利]导电性高分子组合物、包覆品以及图案形成方法

权利要求书

1.一种导电性高分子组合物，其特征在于，含有：

(A)π-共轭系导电性高分子，具有由下述通式(1-1)、通式(1-2)以及通式(1-3)所示的重复单元中的至少一种；

(B)掺杂聚合物，包含由下述通式(2)所示的重复单元a，重量平均分子量为1000～500000的范围；以及，

(C)以下所示的氨基酸电离后的两性离子型化合物；

并且，所述(A)成分与所述(B)成分形成复合物；

式(1-1)、(1-2)、(1-3)中，X是S、O、Se、Te、或NR⁵；R¹和R²分别独立地表示可具有杂原子的碳数1～20的直链状、支链状或环状的1价烃基、氢原子、羟基、卤素原子中的任一种；此外，R¹与R²彼此可以在任意位置键结并形成环；R⁵表示氢原子、碳数1～10的直链状或支链状饱和或不饱和的烷基、或碳数6～10的取代或未被取代的芳基；

式(2)中，R³是氢原子或甲基，R⁴是单键、酯基、或具有醚基和酯基中的任一种或具有这两种基的碳数1～12的直链状、支链状、环状烃基中的任一种，Z是亚苯基、亚萘基以及酯基中的任一种，a是0＜a≤1.0；

所述两性离子型化合物为：

2.如权利要求1所述的导电性高分子组合物，其中，所述(B)成分中的重复单元a，包含选自由下述通式(2-1)～(2-7)所示的重复单元a1～a7中的一种以上；

式(2-1)～(2-7)中，R³是氢原子或甲基，a1、a2、a3、a4、a5、a6以及a7分别为0≤a1≤1.0、0≤a2≤1.0、0≤a3≤1.0、0≤a4≤1.0、0≤a5≤1.0、0≤a6≤1.0、0≤a7≤1.0，并且0＜a1+a2+a3+a4+a5+a6+a7≤1.0。

3.如权利要求1所述的导电性高分子组合物，其中，所述(B)成分进一步包含由下述通式(4)所示的重复单元b；

式(4)中，b是0＜b＜1.0。

4.如权利要求2所述的导电性高分子组合物，其中，所述(B)成分进一步包含由下述通式(4)所示的重复单元b；

式(4)中，b是0＜b＜1.0。

5.如权利要求1至4中任一项所述的导电性高分子组合物，其中，相对于所述(A)成分与所述(B)成分的复合物100质量份，所述(C)成分的含量为1质量份～70质量份。

6.如权利要求5所述的导电性高分子组合物，其中，相对于所述(A)成分与所述(B)成分的复合物100质量份，所述(C)成分的含量为20质量份～50质量份。

7.如权利要求1至4中任一项所述的导电性高分子组合物，其中，所述导电性高分子组合物进一步含有非离子系表面活性剂。

8.如权利要求5所述的导电性高分子组合物，其中，所述导电性高分子组合物进一步含有非离子系表面活性剂。

9.如权利要求7所述的导电性高分子组合物，其中，相对于所述(A)成分与所述(B)成分的复合物100质量份，所述非离子系表面活性剂的含量为1质量份～50质量份。

10.如权利要求8所述的导电性高分子组合物，其中，相对于所述(A)成分与所述(B)成分的复合物100质量份，所述非离子系表面活性剂的含量为1质量份～50质量份。

11.如权利要求1至4中任一项所述的导电性高分子组合物，其中，所述导电性高分子组合物是作为有机薄膜器件中的器件构成要素的积层膜形成用材料。