[发明专利]半导体装置以及半导体装置的制造方法有效
申请号: | 201610849513.9 | 申请日: | 2016-09-23 |
公开(公告)号: | CN107026216B | 公开(公告)日: | 2020-09-22 |
发明(设计)人: | 葛西大树 | 申请(专利权)人: | 拉碧斯半导体株式会社 |
主分类号: | H01L31/10 | 分类号: | H01L31/10;H01L31/105;H01L27/146 |
代理公司: | 北京集佳知识产权代理有限公司 11227 | 代理人: | 舒艳君;李洋 |
地址: | 日本神*** | 国省代码: | 暂无信息 |
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摘要: | |||
搜索关键词: | 半导体 装置 以及 制造 方法 | ||
1.一种半导体装置,其特征在于,包括:
n型导电型的第一半导体层,其具有第一区域以及与上述第一区域邻接的第二区域;
第一绝缘体层,其设置在上述第一半导体层上;
中间半导体层,其设置在上述第一半导体层的上述第一区域上且设置在上述第一绝缘体层上,并且具有n型的导电型;
第二绝缘体层,其设置在上述中间半导体层上;
p型导电型的第二半导体层,其设置在上述第一半导体层的上述第一区域上且设置在上述第二绝缘体层上;
传感器,其形成于上述第一半导体层的上述第二区域;
接触电极,其与上述中间半导体层连接;以及
电路元件,其形成于上述第二半导体层。
2.一种半导体装置,其特征在于,包括:
第一半导体层,其具有第一区域以及与上述第一区域邻接的第二区域;
第一绝缘体层,其设置在上述第一半导体层上;
中间半导体层,其设置在上述第一半导体层的上述第一区域上且设置在上述第一绝缘体层上,并且具有p型的导电型;
第二绝缘体层,其设置在上述中间半导体层上;
第二半导体层,其设置在上述第一半导体层的上述第一区域上且设置在上述第二绝缘体层上;
传感器,其形成于上述第一半导体层的上述第二区域;
接触电极,其与上述中间半导体层连接;以及
电路元件,其形成于上述第二半导体层,
上述中间半导体层以第一反转层和第二反转层不连接的厚度形成,由于滞留在上述中间半导体层与上述第一绝缘体层的界面附近的正电荷而在上述中间半导体层的上述第一绝缘体层侧形成上述第一反转层,由于滞留在上述中间半导体层与上述第二绝缘体层的界面附近的正电荷而在上述中间半导体层的上述第二绝缘体层侧形成上述第二反转层。
3.根据权利要求2所述的半导体装置,其特征在于,
上述中间半导体层的厚度为150nm以上。
4.一种半导体装置,其特征在于,包括:
第一半导体层,其具有第一区域以及与上述第一区域邻接的第二区域;
第一绝缘体层,其设置在上述第一半导体层上;
中间半导体层,其设置在上述第一半导体层的上述第一区域上且设置在上述第一绝缘体层上;
第二绝缘体层,其设置在上述中间半导体层上;
第二半导体层,其设置在上述第一半导体层的上述第一区域上且设置在上述第二绝缘体层上;
传感器,其形成于上述第一半导体层的上述第二区域;
形成于上述中间半导体层的具有p型的导电型的第一接触区域;
与上述第一接触区域电连接的具有n型的导电型的第二接触区域;
接触电极,其与上述第一接触区域以及上述第二接触区域连接;以及
电路元件,其形成于上述第二半导体层。
5.根据权利要求4所述的半导体装置,其特征在于,
还包括覆盖上述第一接触区域以及上述第二接触区域的表面的连接电极。
6.根据权利要求5所述的半导体装置,其特征在于,
上述连接电极通过包含合金层而构成。
7.根据权利要求1~6中任意一项所述的半导体装置,其特征在于,
上述传感器具有设置于上述第一半导体层的上述第一绝缘体层侧的面的p型半导体区域以及n型半导体区域、和设置于上述第一半导体层的与上述第一绝缘体层侧的面相反的一侧的面的背面电极,
电源的阳极与上述n型半导体区域以及上述背面电极连接,上述电源的阴极与上述p型半导体区域以及上述接触电极连接。
8.一种半导体装置的制造方法,其特征在于,包括:
准备包括具有第一区域以及与上述第一区域邻接的第二区域的第一半导体层、设置在上述第一半导体层上的第一绝缘体层、设置在上述第一半导体层的上述第一区域上且设置在上述第一绝缘体层上的中间半导体层、设置在上述中间半导体层上的第二绝缘体层以及设置在上述第一半导体层的上述第一区域上且设置在上述第二绝缘体层上的第二半导体层的半导体基板的工序;
在上述第二半导体层形成电路元件的工序;
在上述第一半导体层的上述第二区域形成传感器的工序;
在上述中间半导体层形成具有p型的导电型的第一接触区域以及具有n型的导电型的第二接触区域的工序;以及
形成与上述第一接触区域以及上述第二接触区域连接的接触电极的工序。
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H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L31-00 对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射,或微粒辐射敏感的,并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的,或者专门适用于通过这样的辐射进行电能控制的半导体器件;专门适用于制造或处理这些半导体器件或其部件的方法或
H01L31-02 .零部件
H01L31-0248 .以其半导体本体为特征的
H01L31-04 .用作转换器件的
H01L31-08 .其中的辐射控制通过该器件的电流的,例如光敏电阻器
H01L31-12 .与如在一个共用衬底内或其上形成的,一个或多个电光源,如场致发光光源在结构上相连的,并与其电光源在电气上或光学上相耦合的