[发明专利]半导体装置以及半导体装置的制造方法有效

专利信息
申请号: 201610849513.9 申请日: 2016-09-23
公开(公告)号: CN107026216B 公开(公告)日: 2020-09-22
发明(设计)人: 葛西大树 申请(专利权)人: 拉碧斯半导体株式会社
主分类号: H01L31/10 分类号: H01L31/10;H01L31/105;H01L27/146
代理公司: 北京集佳知识产权代理有限公司 11227 代理人: 舒艳君;李洋
地址: 日本神*** 国省代码: 暂无信息
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摘要:
搜索关键词: 半导体 装置 以及 制造 方法
【权利要求书】:

1.一种半导体装置,其特征在于,包括:

n型导电型的第一半导体层,其具有第一区域以及与上述第一区域邻接的第二区域;

第一绝缘体层,其设置在上述第一半导体层上;

中间半导体层,其设置在上述第一半导体层的上述第一区域上且设置在上述第一绝缘体层上,并且具有n型的导电型;

第二绝缘体层,其设置在上述中间半导体层上;

p型导电型的第二半导体层,其设置在上述第一半导体层的上述第一区域上且设置在上述第二绝缘体层上;

传感器,其形成于上述第一半导体层的上述第二区域;

接触电极,其与上述中间半导体层连接;以及

电路元件,其形成于上述第二半导体层。

2.一种半导体装置,其特征在于,包括:

第一半导体层,其具有第一区域以及与上述第一区域邻接的第二区域;

第一绝缘体层,其设置在上述第一半导体层上;

中间半导体层,其设置在上述第一半导体层的上述第一区域上且设置在上述第一绝缘体层上,并且具有p型的导电型;

第二绝缘体层,其设置在上述中间半导体层上;

第二半导体层,其设置在上述第一半导体层的上述第一区域上且设置在上述第二绝缘体层上;

传感器,其形成于上述第一半导体层的上述第二区域;

接触电极,其与上述中间半导体层连接;以及

电路元件,其形成于上述第二半导体层,

上述中间半导体层以第一反转层和第二反转层不连接的厚度形成,由于滞留在上述中间半导体层与上述第一绝缘体层的界面附近的正电荷而在上述中间半导体层的上述第一绝缘体层侧形成上述第一反转层,由于滞留在上述中间半导体层与上述第二绝缘体层的界面附近的正电荷而在上述中间半导体层的上述第二绝缘体层侧形成上述第二反转层。

3.根据权利要求2所述的半导体装置,其特征在于,

上述中间半导体层的厚度为150nm以上。

4.一种半导体装置,其特征在于,包括:

第一半导体层,其具有第一区域以及与上述第一区域邻接的第二区域;

第一绝缘体层,其设置在上述第一半导体层上;

中间半导体层,其设置在上述第一半导体层的上述第一区域上且设置在上述第一绝缘体层上;

第二绝缘体层,其设置在上述中间半导体层上;

第二半导体层,其设置在上述第一半导体层的上述第一区域上且设置在上述第二绝缘体层上;

传感器,其形成于上述第一半导体层的上述第二区域;

形成于上述中间半导体层的具有p型的导电型的第一接触区域;

与上述第一接触区域电连接的具有n型的导电型的第二接触区域;

接触电极,其与上述第一接触区域以及上述第二接触区域连接;以及

电路元件,其形成于上述第二半导体层。

5.根据权利要求4所述的半导体装置,其特征在于,

还包括覆盖上述第一接触区域以及上述第二接触区域的表面的连接电极。

6.根据权利要求5所述的半导体装置,其特征在于,

上述连接电极通过包含合金层而构成。

7.根据权利要求1~6中任意一项所述的半导体装置,其特征在于,

上述传感器具有设置于上述第一半导体层的上述第一绝缘体层侧的面的p型半导体区域以及n型半导体区域、和设置于上述第一半导体层的与上述第一绝缘体层侧的面相反的一侧的面的背面电极,

电源的阳极与上述n型半导体区域以及上述背面电极连接,上述电源的阴极与上述p型半导体区域以及上述接触电极连接。

8.一种半导体装置的制造方法,其特征在于,包括:

准备包括具有第一区域以及与上述第一区域邻接的第二区域的第一半导体层、设置在上述第一半导体层上的第一绝缘体层、设置在上述第一半导体层的上述第一区域上且设置在上述第一绝缘体层上的中间半导体层、设置在上述中间半导体层上的第二绝缘体层以及设置在上述第一半导体层的上述第一区域上且设置在上述第二绝缘体层上的第二半导体层的半导体基板的工序;

在上述第二半导体层形成电路元件的工序;

在上述第一半导体层的上述第二区域形成传感器的工序;

在上述中间半导体层形成具有p型的导电型的第一接触区域以及具有n型的导电型的第二接触区域的工序;以及

形成与上述第一接触区域以及上述第二接触区域连接的接触电极的工序。

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