[发明专利]包括芯片启动焊盘的半导体封装有效

专利信息
申请号: 201610849635.8 申请日: 2016-09-26
公开(公告)号: CN107293528B 公开(公告)日: 2019-11-08
发明(设计)人: 李其勇;金相桓;崔炯柱 申请(专利权)人: 爱思开海力士有限公司
主分类号: H01L23/488 分类号: H01L23/488;H01L23/48
代理公司: 北京三友知识产权代理有限公司 11127 代理人: 李辉;刘久亮
地址: 韩国*** 国省代码: 韩国;KR
权利要求书: 查看更多 说明书: 查看更多
摘要:
搜索关键词: 包括 芯片 启动 半导体 封装
【说明书】:

包括芯片启动焊盘的半导体封装。一种半导体封装包括封装基板以及堆叠在该封装基板上的半导体芯片。所述封装基板可以包括至少一个第一芯片启动指、至少一个第二芯片启动指以及芯片启动焊盘选择指。所述半导体芯片中的每一个包括连接至所述至少一个第一芯片启动指的第一芯片启动焊盘、连接至所述至少一个第二芯片启动指的第二芯片启动焊盘以及连接至所述芯片启动焊盘选择指的芯片启动焊盘选择焊盘。通过施加至所述芯片启动焊盘选择指的信号来选择性地激活所述半导体芯片的所述第一芯片启动焊盘或者所述半导体芯片的所述第二芯片启动焊盘。

技术领域

本公开的实施方式总体上涉及半导体封装,并且更具体地,涉及包括芯片启动焊盘的半导体封装。

背景技术

在电子行业中,多芯片堆叠封装正被开发以满足对多功能、高容量、小尺寸的半导体装置的需求。可以通过在封装基板上安装多个半导体芯片来生产多芯片堆叠封装。例如,多芯片堆叠封装可以在其中具有四个或更多个堆叠的半导体芯片。多芯片堆叠封装中的每个半导体芯片可以在对应的芯片启动信号被启用时被选择性地启用。每个半导体芯片可以具有被施加芯片启动信号的至少一个芯片启动焊盘。

多芯片堆叠封装可以包括芯片启动选项结构。该芯片启动选项结构可以由将封装基板电连接至堆叠在该封装基板上的半导体芯片的互连结构来限定。然而,一旦多芯片堆叠封装被制造,就难以修改或者改变多芯片堆叠封装的芯片启动选项结构。

发明内容

根据实施方式,一种半导体封装可以包括封装基板、第一半导体芯片至第四半导体芯片、第一芯片启动连接器、第二芯片启动连接器、芯片启动焊盘选择连接器以及芯片选择辅助连接器。所述封装基板可以包括第一芯片启动指(finger)、第二芯片启动指、芯片启动焊盘选择指以及芯片选择辅助指。所述第一芯片启动指可以包括第一指至第四指,并且所述第二芯片启动指可以包括第一指和第二指。所述第一半导体芯片可以被布置在所述封装基板上,并且可以具有第一芯片启动焊盘的第一焊盘、第二芯片启动焊盘的第一焊盘、芯片启动焊盘选择焊盘的第一焊盘以及芯片选择辅助焊盘的第一焊盘。所述第二半导体芯片可以被布置在所述第一半导体芯片上,并且可以具有所述第一芯片启动焊盘的第二焊盘、所述第二芯片启动焊盘的第二焊盘、所述芯片启动焊盘选择焊盘的第二焊盘以及所述芯片选择辅助焊盘的第二焊盘。所述第三半导体芯片可以被布置在所述第二半导体芯片上,并且可以具有所述第一芯片启动焊盘的第三焊盘、所述第二芯片启动焊盘的第三焊盘、所述芯片启动焊盘选择焊盘的第三焊盘以及所述芯片选择辅助焊盘的第三焊盘。所述第四半导体芯片可以被布置在所述第三半导体芯片上,并且可以具有所述第一芯片启动焊盘的第四焊盘、所述第二芯片启动焊盘的第四焊盘、所述芯片启动焊盘选择焊盘的第四焊盘以及所述芯片选择辅助焊盘的第四焊盘。所述第一芯片启动连接器的第一连接器可以将所述第一芯片启动指的所述第一指电连接至所述第一芯片启动焊盘的所述第一焊盘。所述第一芯片启动连接器的第二连接器可以将所述第一芯片启动指的所述第二指电连接至所述第一芯片启动焊盘的所述第二焊盘。所述第一芯片启动连接器的第三连接器可以将所述第一芯片启动指的所述第三指电连接至所述第一芯片启动焊盘的所述第三焊盘。所述第一芯片启动连接器的第四连接器可以将所述第一芯片启动指的所述第四指电连接至所述第一芯片启动焊盘的所述第四焊盘。所述第二芯片启动连接器的第一连接器可以将所述第二芯片启动焊盘的所述第一焊盘和所述第二焊盘二者电连接至所述第二芯片启动指的所述第一指。所述第二芯片启动连接器的第二连接器可以将所述第二芯片启动焊盘的所述第三焊盘和所述第四焊盘二者电连接至所述第二芯片启动指的所述第二指。所述芯片启动焊盘选择连接器可以将所述芯片启动焊盘选择焊盘的所述第一焊盘至所述第四焊盘全部电连接至所述芯片启动焊盘选择指。所述芯片选择辅助连接器可以将所述芯片选择辅助焊盘的所述第二焊盘和所述第四焊盘二者电连接至所述芯片选择辅助指。可以根据施加至所述芯片启动焊盘选择指的信号来选择性地激活所述第一芯片启动焊盘的所述第一焊盘至所述第四焊盘或者所述第二芯片启动焊盘的所述第一焊盘至所述第四焊盘。

下载完整专利技术内容需要扣除积分,VIP会员可以免费下载。

该专利技术资料仅供研究查看技术是否侵权等信息,商用须获得专利权人授权。该专利全部权利属于爱思开海力士有限公司,未经爱思开海力士有限公司许可,擅自商用是侵权行为。如果您想购买此专利、获得商业授权和技术合作,请联系【客服

本文链接:http://www.vipzhuanli.com/pat/books/201610849635.8/2.html,转载请声明来源钻瓜专利网。

×

专利文献下载

说明:

1、专利原文基于中国国家知识产权局专利说明书;

2、支持发明专利 、实用新型专利、外观设计专利(升级中);

3、专利数据每周两次同步更新,支持Adobe PDF格式;

4、内容包括专利技术的结构示意图流程工艺图技术构造图

5、已全新升级为极速版,下载速度显著提升!欢迎使用!

请您登陆后,进行下载,点击【登陆】 【注册】

关于我们 寻求报道 投稿须知 广告合作 版权声明 网站地图 友情链接 企业标识 联系我们

钻瓜专利网在线咨询

周一至周五 9:00-18:00

咨询在线客服咨询在线客服
tel code back_top